سامسونگ و معرفی یک درایو اس اس دی 3.2 ترابایتی! (داریو SSD سامسونگ برای قدرت نمایی)

کمپانی سامسونگ اخیرا تولید درایو حالت جامد 3.2 ترابایتی NVMe خود را با قابلیت اتصال PCIe، آغاز نموده است. این محصول که از فناوری حافظه فلش 3D V-NAND در آن استفاده شده با هدف سرورهای سازمانی رده بالا و بسیار پیشرفته وارد بازار شده است. اسم این محصول SM1715 نام دارد و سامسونگ در طراحی آن از ابعاد کوچک در طول و ارتفاع استفاده کرده است. SM1715 مدل ارتقاء یافته XS1715 است که در ظرفیت 1.6 ترابایت تولید می شد. Jeeho Baek مدیر بازاریابی بخش حافظه های سامسونگ گفته: “با شروع تولید انبوه این حافظه NVMe مبتنی بر V-NAND، که بالاترین میزان بازدهی در عملکرد و ظرفیت را تا به امروز ارئه می دهد، انتظار داریم بازار SSD های ظرفیت بالا را با موفقیت گسترش دهیم. سامسونگ همچنین قصد دارد در آینده محصولات جدید خود را در این شاخه با عملکرد و ظرفیتی بالاتر ارائه کند و سهم بازار و مشتریان خود را ارتقاء دهد.”

امروزه درایوهای حالت جامد با ویژگی سرعت خواندن و نوشتن بالای خود به طور فزاینده در سرورهای سازمانی مورد استفاده قرار می گیرند. SM1715 که در نسخه 1.6 ترابایتی هم تولید می شود، سرعت دائمی خواندن 3000 مگابایت بر ثانیه و سرعت دائمی نوشتن 2200 مگابایت بر ثانیه را برای کاربران به ارمغان می آورد. از طرفی سرعت تصادفی خواندن و نوشتن طبق معیار IOPs به ترتیب برابر 750000 و 130000 است. از لحاظ طول عمر این محصول به مدت 5 سال با ظرفیتی معادل رایت 10 دیسک به صورت روزانه (DWPDs) قابلیت استفاده را ارائه می کند که ضریب اطمینان نسبتا خوبی برای خریداران محسوب می شود. فناوری V-NAND از طریق لایه بندی فیزیکی سلول های حافظه ظرفیت حافظه را افزایش می دهد. در این فناوری تا 32 لایه سلول حافظه عمودی و چسبیده به هم وجود دارد که با توجه به فرآیند ساخت 19 میلی متری ظرفیتی بالاتر را در ابعاد کوچکتر ارائه می کند. سامسونگ که پیشرو در توسعه فناوری 3D V-NAND است در ماه اوت امسال به طور رسمی شروع به بهره برداری از آن در محصولات جدید خود نمود. اخیرا دو کمپانی بزرگ سن دیسک و توشیبا نیز در یک حرکت مشترک اقدام به تولید حافظه فلش V-NAND نموده اند.