شرکت رمبوس (Rambus) مشخصات کنترلر حافظه HBM4 نسل بعدی خود را به تفصیل توضیح داده است که ارتقا قابل توجهی را در سرعت و پهنای باند نسبت به گزینههای موجود، یعنی HBM3 و HBM3E ارائه میکند.
بر اساس گزارشهای منتشر شده، HBM4 نسل بعدی محصولات هوش مصنوعی و مرکز داده را تجهیز میکند، به علاوه سرعتهای حافظه سریعتر و ظرفیتهای بالاتری را در هر پشته فراهم خواهد کرد.
همانطور که انجمن فناوری JEDEC به سمت نهایی کردن مشخصات حافظه HBM4 حرکت میکند، اولین جزئیات در رابطه با محصولات نسل بعدی نیز منتشر شده است. به نظر میرسد کنترلر حافظه HBM4 که عمدتاً بازار هوش مصنوعی و مرکز داده را هدف قرار میدهد، به گسترش قابلیتهای طراحی HBM DRAM موجود ادامه میدهد.
مشخصات حافظه HBM4 شرکت رمبوس: حداکثر سرعت 10 گیگابیت بر ثانیه
همانطور که گفته شد، شرکت رمبوس کنترلر حافظه HBM4 جدید خود را رونمایی کرده است که گفته میشود سرعتی بیش از 6.4 گیگابیت بر ثانیه را در هر پین ارائه میدهد. این محصول باید سریعتر از نسل اول حافظه HBM3 باشد در حالی که پهنای باند بیشتری نسبت به نسخههای HBM3E با پشتیبانی از همان پشته 16-Hi و طراحی حداکثر ظرفیت 64 گیگابایت، ارائه خواهد داد. پهنای باند شروع برای حافظه HBM4 برابر با 1638 گیگابایت بر ثانیه است که 33 درصد بیشتر از نسخه HBM3E است، همچنین در مقایسه با HBM3 دو برابر برتری دارد.
در اینجا باید اشاره کرد که حافظه HBM3E با حداکثر سرعت 9.6 گیگابیت بر ثانیه به همراه پهنای باند 1.229 ترابایت بر ثانیه در هر پشته کار میکنند. با این حال، کنترلر HBM4، تا 10 گیگابیت بر ثانیه سرعت و حداکثر 2.56 گیگابایت بر ثانیه پهنای باند را در هر رابط HBM ارائه خواهد کرد. البته باید بدانید با وجود اینکه حافظه HBM4 نسبت به نسل قبلی خود یعنی HBM3E، پیشرفت قابل توجهی (افزایش 2 برابری) خواهد داشت، اما برای دستیابی به این بهبودها و استفاده از تمام قابلیتهای آن، زمان و تلاش بیشتری لازم است. از دیگر ویژگیهای کنترلر حافظه HBM4 میتوان به قابلیتهای ECC، RMW (Read-Modify-Write)، Error Scrubbing و غیره اشاره کرد.
بر اساس گزارشهای منتشر شده، شرکت SK Hynix تولید انبوه حافظه 12 لایه HBM3E خود را با حداکثر ظرفیت 36 گیگابایت و سرعت 9.6 گیگابیت بر ثانیه آغاز کرده است. این در حالی است که انتظار میرود تولید حافظه نسل بعدی HBM4 آنها در ماه جاری (میلادی) آغاز شود. علاوه بر آن، گزارشها حاکی از آن است که حافظههای HBM4 شرکت سامسونگ تا پایان سال 2025 به مرحله تولید انبوه خواهد رسید.
در حال حاضر، پردازندههای گرافیکی Rubin کمپانی انویدیا که انتظار میرود در سال 2026 وارد بازار شوند، اولین پلتفرم هوش مصنوعی خواهند بود که از حافظه HBM4 پشتیبانی میکند. این در حالی است که انتظار میرود Instinct MI400 نیز از طراحی نسل بعدی استفاده کند، با این وجود کمپانی AMD هنوز این موضوع را تأیید نکرده است.
مقایسه مشخصات حافظههای HBM در جدول زیر به صورت خلاصه آورده شده است:
| DRAM | HBM1 | HBM2 | HBM2E | HBM3 | HBM3E | HBMNEXT (HBM4) |
| I/O (رابط باس) | 1024 | 1024 | 1024 | 1024 | 1024-2048 | 1024-2048 |
| Prefetch (I/O) | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| حداکثر پهنای باند | 128 GB/s | 256 GB/s | 460.8 GB/s | 819.2 GB/s | 1.2 TB/s | 1.5 – 2.56 TB/s |
| DRAM ICs Per Stack | 4 | 8 | 8 | 12 | 8-16 | 8-16 |
| حداکثر ظرفیت | 4 GB | 8 GB | 16 GB | 24 GB | 24 – 36 GB | 36-64 GB |
| tRC | 48ns | 45ns | 45ns | TBA | TBA | TBA |
| tCCD | 2ns (=1tCK) | 2ns (=1tCK) | 2ns (=1tCK) | TBA | TBA | TBA |
| VPP | External VPP | External VPP | External VPP | External VPP | External VPP | TBA |
| VDD | 1.2V | 1.2V | 1.2V | TBA | TBA | TBA |
| Command Input | Dual Command | Dual Command | Dual Command | Dual Command | Dual Command | Dual Command |
توسط 
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید