سامسونگ برای اولین بار فناوری TLC را با V-NAND در آمیخت تا پایداری و سرعت را در کنار قیمت مقرون به صرفه قرار دهد. چیپ های فلش TLC سامسونگ را که به خاطر دارید؟ برای یادآوری، در فناوری MLC یا Multi-Level Cell در هر سلول 2 بیت جای می گیرد و سامسونگ همین ساختار را گرفته و یک بیت بیشتر (مجموعا سه بیت) در آن جای داد. نتیجه تولید درایوهای SSD با قیمتی مناسب تر بود. در مجاورت آن، فناوری دیگری به نام V-NAND توسط این شرکت شکل گرفت که در آن به جای ساختار مسطح سلول ها، چندین لایه از آنها روی هم و در یک چینش عمودی قرار می گرفتند.
این دومی نسبت به مدل مسطح عملکرد و پایداری بیشتری در حفظ داده ها دارد. اینکه سامسونگ دو فناوری خود را مخلوط نموده و به ترکیبی از قیمت و کیفیت دست یابد، ایده جذابی است و این دقیقا همانی است که اکنون با ورود چیپ های 3D Vertical NAND به خط تولید انبوه انجام شده است. اولین درایو SSD که بر مبنای ساختار جدید ساخته خواهد شد 850 EVO نام دارد که مدتی پیش و در نمایشگاه IFA به شکلی غیر رسمی به آن پرداخته شد. از آنجا که تولید انبوه این چیپ ها مدتی است آغاز شده، به زودی شاهد حضور اولین محصولات مبتنی بر آن در بازار خواهیم بود.
توسط 
اس اس دی 250 گیگابایتی 850 اوو سامسونگ با قیمت 520 هزارتومن فوق العاده هستش ، سرعت خواندن و نوشتن به ترتیب 540 و 520MB/S و خواندن و نوشتن 4K هم به ترتیب 97,000 و 88,000 IOps هستش.
سامسونگ تو دنیای حافظه واقعن عالی کار میکنه … درایوهاش هم حرف نداره