سامسونگ تولید انبوه نسل نهم حافظه V-NAND از نوع QLC را آغاز کرده است که با ارائه ظرفیت ذخیرهسازی بیشتر و عملکرد بهتر، بهینهسازی مصرف انرژی برای بارهای کاری مرتبط با هوش مصنوعی را نیز به همراه دارد. آغاز تولید حافظه های QLC نسل نهم به صورت تولید انبوه خواهد بود و تاثیر زیادی در حوزه حافظههای ذخیرهسازی ارائه خواهد کرد.
این حافظه QLC یا Quad Level Cell V-NAND با ترکیب چندین فناوری پیشرفته تولید میشود. سامسونگ چند ماه پیش تولید اولین نسل نهم V-NAND از نوع TLC را با افزایش 50 درصدی تراکم بیت آغاز کرد و اکنون اعلام کرده که تولید انبوه نسل نهم QLC نیز شروع شده است. این حافظه بهطور خاص برای ارائه عملکرد بالا و کارایی در مصرف انرژی در کاربردهای هوش مصنوعی طراحی شده است. با استفاده از فناوریهای مختلف، این نوع V-NAND به بالاترین تعداد لایه ممکن دست یافته است.
QLC V-NAND با بهرهگیری از فناوریهایی مانند Channel Hole Etching، Designed Mold و Predictive Program ساخته شده است. این فناوریها به تراکم بیشتر و اندازه فشردهتر کمک کرده و قابلیت اطمینان بالاتری در عملیات خواندن و نوشتن اطلاعات فراهم میکنند.
رهبری سامسونگ در حوزه ذخیرهسازی
آغاز موفقیتآمیز تولید انبوه QLC نسل نهم تنها چهار ماه پس از نسخه TLC به ما این امکان را میدهد که یک خط تولید کامل از راهحلهای پیشرفته SSD را برای برآورده کردن نیازهای عصر هوش مصنوعی ارائه دهیم.
SungHoi Hur، نایب رئیس اجرایی و رئیس بخش فناوری
او همچنین به هدف سامسونگ در تثبیت رهبری خود در بخش ذخیرهسازی اشاره کرد. با رشد سریع بازار SSDهای سازمانی و افزایش تقاضا برای سختافزارهای پیشرفته برای اجرای برنامههای هوش مصنوعی، سامسونگ با نسل نهم QLC ابتدا محصولات مصرفی را هدف قرار داده و سپس این فناوری را به محصولات UFS، رایانههای شخصی و SSDهای سروری گسترش میدهد.
فناوری Channel Hole Etching سامسونگ توانسته بالاترین تعداد لایه در صنعت را با استفاده از ساختار دوتایی به دست آورد. حافظه QLC V-NAND نسبت به نسل قبلی خود 86 درصد تراکم بیشتری دارد. فناوری Designed Mold به بهبود عملکرد نگهداری دادهها به میزان تقریبی 20 درصد کمک کرده و قابلیت اطمینان محصول را افزایش داده است. همچنین، V-NAND نسل نهم QLC با دو برابر شدن عملکرد نوشتن و بهبود ۶۰ درصدی سرعت ورودی و خروجی دادهها عملکرد بهتری ارائه میدهد. مصرف انرژی در عملیات خواندن و نوشتن دادهها نیز به ترتیب 30 و 50 درصد کاهش یافته که این به لطف فناوری Low-power Design امکانپذیر شده است.
فناوری Channel Hole Etching امکان ایجاد کانالهای عمودی برای انتقال دادهها در سلولهای انباشته V-NAND را فراهم کرده است. این فناوری به سامسونگ اجازه داده تا تعداد لایههای بیشتری نسبت به حافظههای قبلی NAND به دست آورد. همچنین، ساختار دوتایی موجب کاهش تولید گرما شده و تراکم حافظه را تا 86 درصد افزایش داده است.
Designed Mold با تنظیم فاصله خطوط Word و یکنواختی سلولها در لایهها، عملکرد ثابت و قابل اعتمادی برای QLC V-NAND ایجاد کرده و حدود 20 درصد بهبود در نگهداری دادهها را ارائه میدهد. فناوری Predictive Program نیز نوشتن دادهها روی سلولهای NAND را بهینهسازی میکند و با پیشبینی وضعیت سلولها در حین عملیات نوشتن، از تغییرات غیرضروری جلوگیری کرده و عملکرد خواندن و نوشتن دادهها را تا 60 درصد بهبود میبخشد.
سامسونگ با ارائه حافظههای NAND با کارایی بالا و مصرف انرژی بهینه در مسیر تامین نیازهای بازار هوش مصنوعی گام برمیدارد و در عین حال محصولات خود را برای دستگاههای موبایل و رایانهای گسترش میدهد.
مطالب مرتبط:
توسط 
توسط 
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید