ماه گذشته سامسونگ به دلیل نقض تعدادی از پتنت های مرتبط با طراحی آیفون های اپل مجبور به پرداخت جریمه 538.6 میلیون دلاری به این کمپانی شد. حالا سامسونگ دوباره در حال مجازات است، چرا که باز هم بدون اجازه به سراغ پتنت های شرکت های دیگر رفته و از آنها بدون اخذ مجوز استفاده کرده است. در حقیقت شاکی پرونده دانشگاهی در کره جنوبی است که مدعی است سامسونگ پتنتی که آنها در آمریکا ثبت کرده اند را نقض کرده است، هیئت منصفه فدرال حکمی صادر کرده اند که سامسونگ پتنتی که مرتبط با تکنولوژی FinFET می باشد را نقض کرده است.
مبلغی که سامسونگ به KAIST (موسسه تخصصی علم و فناوری کره) بدهکار است 400 میلیون دلار می باشد. اما از آنجاییکه هیئت منصفه معتقد است سامسونگ به صراحت حق ثبت اختراع را نقض کرده است، قاضی این اختیار را دارد که “خسارت سه برابری” را اعمال کند و به این ترتیب مبلغ جریمه سامسونگ 1.2 میلیارد دلار خواهد شد. علاوه بر سامسونگ به نظر میرسد که کوالکام و GlobalFoundries نیز همین پتنت را نقض کرده اند. البته این دو کمپانی بدون پرداخت خسارت، فرار کرده اند.
فین فت ترانزیستوری است که در طراحی پردازنده ها استفاده می شود که در آن الکترودهای گیت به شکل fin (بال) می باشد. تفاوت ترانزیستورهای فین فت با ماسفت اینست که این تکنولوژی اجازه میدهد تا چندین گیت همزمان به یک ترانزیستور متصل باشند و این باعث بهبود عملکرد و کاهش مصرف انرژی در تراشه های کوچک می شود. براساس اطلاعات این شکایت، سامسونگ در ابتدا استفاده از تکنولوژی FinFET را رد کرد. اما پرونده می گوید که سامسونگ زمانی که اینتل لایسنس FinFET را برای تراشه های خود استفاده کرد ادعای خود را تغییر داد. غول کره ای تکنولوژی نقض ثبت حق اختراع را رد کرده و گفته که برای توسعه فین فت با دانشگاه همکاری کرده است. آنها معتقدند که حق اختراع دانشگاه کره نامعتبر است و درخواست تجدید نظر کرده اند.
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید