کمپانی بزرگ SK Hynix خبر از اتمام مراحل توسعه تراشه های Flash NAND با بیشترین تعداد لایه در ظرفیت 512 گیگابیت با فناوری Triple-Level Cell داده است. این تراشه ساز کره‌ای از ماه گذشته کنترلرهای نمونه را در اختیار تولیدکنندگان قرار داده تا برای محصول نهایی آن را آزمایش کنند. SK Hynix در حال ارتقای فناوری 4 بعدی از تراشه های فلش 96 لایه ای که ترکیبی از Charge Trap Flash با Peri یکپارچه شده در سطح بالا می‌باشد است. تراشه‌های Flash NAND جدید 176 لایه ای این کمپانی سومین نسل از این محصول می باشد که بیشترین تعداد تراشه در هر ویفر را در صنعت تراشه های فلش تضمین می‌کنند.
نسل جدید تراشه های Flash NAND کمپانی SK Hynix
این موجب افزایش 35 درصدی عملکرد تراشه می‌شود در صورتی که تفاوت در هزینه توسعه نیز رقابتی است. سرعت خواندن اطلاعات از هر سلول 20 درصد در مقایسه با نسل قبل به لطف استفاده از فناوری چینش سلول دوتایی افزایش یافته است. همچنین سرعت تبادل اطلاعات در نسل جدید با افزایش 33 درصدی مواجه شده و بدون آنکه به تعداد پردازشات اضافه شود، به 1.6 گیگابیت بر ثانیه رسیده است. با استفاده از نسل جدید تراشه‌های Flash NAND کمپانی SK Hynix در دستگاه‌های موبایل از اواسط سال آینده، سرعت خواندن اطلاعات تا 70 درصد و سرعت نوشتن اطلاعات تا 35 درصد بالا میرود.
همچنین SK Hynix در نظر دارد SSDهای تجاری و مصرفی را به منظور توسعه کاربرد این تراشه‌ها روانه بازار کند. این سازنده کره‌ای قصد دارد با توسعه تراشه‌های 1 ترابیتی رقابت را تشدید کند و چگالی تراشه‌های فلش 176 لایه ای خود را نسبت به نمونه فعلی دو برابر کند. بر اساس برآوردهای Omdia، بازار تراشه‌های فلش از 431 میلیارد گیگابایت در سال 2020، به 1.366 تریلیون گیگابایت در سال 2024 خواهد رسید و 33.4 درصد رشد خواهد کرد.
بیشتر بخوانید: تبدیل شدن به دومین فروشنده بزرگ NAND Flash در جهان – دستاورد SK Hynix از معامله با اینتل
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید