کمپانی تایوانی به عنوان برترین تولید کننده نیمه هادی در نشست مجازی معرفی نود جدید 12 نانومتری N12e برای دستگاه‌های اینترنت اشیاء یا IoT، تکنولوژی 3DFabric را نیز معرفی کرد و البته جزئیات لیتوگرافی 3 و 5 نانومتری TSMC یا همان N5 و N3 را نیز به اشتراک گذاشت.
این شرکت اذعان داشت که لیتوگرافی 5 نانومتری یا N5 مزایای یک تغییر نود کامل را نسبت به نسل فعلی 7 نانومتری یا N7 ارائه می‌دهد. همانطور که مطلع هستید با نود 7 نانومتری تا به حال بیش از یک میلیارد چیپ تولید شده است. نود 5 نانومتری از لیتوگرافی EUV به شکل گسترده‌تری نسبت به N7+ و N6 استفاده خواهد کرد؛ در مقایسه با N7 ما شاهد 30 درصد مصرف انرژی بهتر در عملکرد یکسان، 15 درصد عملکرد بیشتر در مصرف یکسان و 80 درصد افزایش تراکم منطقی هستیم. کمپانی تایوانی تولید انبوه این نود (N5) را آغاز کرده است.
جزئیات لیتوگرافی 3 و 5 نانومتری TSMC
در 2021 اما ما شاهد معرفی و تولید نود N5P یک نمونه بهبود یافته نسبت به فناوری 5 نانومتری N5 خواهیم بود که 10 درصد بهبود توان مصرفی در عملکرد یکسان یا 5 درصد عملکرد بهتر در مصرف یکسان را ارائه خواهد داد. یک زیر مجموعه در خانواده نودهای N5 با نام N4 وجود دارد که در فصل چهارم 2021 وارد فاز تولید می‌شود. نود N4 با نام تجاری فناوری 4 نانومتری عرضه خواهد شد، اگر چه این کمپانی به میزان بهبود مصرف انرژی یا عملکرد نسبت به N5 اشاره‌ای نکرده است.
لیتوگرافی اصلی بعدی TSMC نود 3 نانومتری یا N3 خواهد بود که بهود عظیم 25 الی 30 درصدی در مصرف انرژی با عملکرد مشابه یا 10 الی 15 درصدی کارایی در مصرف یکسان را در مقایسه با N5 وعده می‌دهد. این نود همچنین 70 درصد افزایش تراکم منطقی نسبت به N5 را فراهم می‌کند. فناوری 3DFabric نیز یک تکنولوژی جدید برای CoWoS یا تراشه روی ویفر روی لایه، مدل CoW یا چیپ روی ویفر و WoW یا ویفر روی ویفر به عنوان نوآوری‌های جدید تولید چیپ سه بعدی می‌باشند. برنامه‌های TSMC ارائه این نوآوری‌ها برای رقابت با تکنولوژی‌های مشابه اینتل مانند Foveros 3D می‌باشد.
بیشتر بخوانید: TSMC بیش از یک میلیارد تراشه 7 نانومتری به تولید رسانده است
توسط 
توسط 
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید