مجموعه Rambus برخی از مشخصات فنی HBM2 و DDR5 را طی یک نشست، اعلام کرد. هم اینک حافظه های HBM2 با مشکلاتی از جمله کمبود خطوط تولید روبرو هستند و اینک با خبر شده ایم که کمپانی هایی از جمله Samsung و Micron بر روی نسل آینده ی تراشه های حافظه، یعنی HBM3 در حال کار هستند. حافظه های HBM3 دارای تراکم دو برابر بیشتر بوده و بدین ترتیب پهنای باند آنها نیز دو برابر بیشتر از حافظه های HBM2 خواهد بود. افزون بر آن، ولتاژ راه انداز IO/Core نیز در HBM3 به مراتب کمتر از HBM2 است.
پهنای باند حافظه های HBM3 می تواند به 4000 مگابیت در ثانیه، برای هر باس برسد. با این وجود پیچیدگی در پیاده سازی مقداری از HBM2 هم بالاتر رفته و بارگزاری پشته های حافظه نیز به همین منوال است. آخرین اطلاعات باقی مانده نیز حاکی از آن است که HBM3 بر اساس لیتوگرافی 7 نانومتری تولید و پیاده سازی خواهد شد. و اما در ادامه به حافظه های DDR5 خواهیم رسید.
حافظه های DDR5 که در روزهای پیشین نیز مطالبی را در این زمینه برای شما عزیزان منتشر نمودیم، در سال 2019 معرفی شده و راهی دنیای سخت افزار می گردد. درست به مانند حافظه های HBM3، حافظه های DDR5 نیز با پهنای باند دو برابر بیشتر به نسبت حافظه های DDR4 معرفی می شوند. هنوز مشخص نیست که آیا حافظه های HBM3 قادر به رقابت با GDDR6 ها خواهند بود یا نه؛ اما می توانیم مطمئن باشیم که DDR5 به خوبی از پس سخت افزارهای آتی برخواهد آمد.
توسط 
حافظه های HBM3 و GDDR5 با عملکرد خیره کننده
DDR5