شرکتهای معظم IBM و سامسونگ که هر کدام در زمینههای متفاوتی دست برتر را در بازار تکنولوژی دارند، تصمیم به ساخت تکنولوژی جدید از طراحی چیپستها گرفتهاند که به عقیدهی خودشان، عمر باتری یک هفتهای را برای دستگاهها به ارمغان میآورند. شاید با خود بگویید که طراحی جدید چیپست IBM و سامسونگ چه طرحی است که توانسته چنین جهشی در مدت زمان عمر باتریها و .. به وجود آورد! جواب ساده به نظر میرسد. این دو شرکت به این نتیجه رسیدهاند که به جای افقی ساختن این تراشهها، عمودی بسازند!
- آغاز تولید آزمایشی تراشه های 3 نانومتری توسط TSMC
- پیش بینی سامسونگ موبایل از زمان پایان بحران کمبود تراشه – فاصله بسیار است
جزئیات طراحی چیپست IBM و سامسونگ
این طراحی جدید قطعات نیمه هادی که به اختصار VTFET نامگذاری شده است، توانسته تا همانند تکنولوژی FinFET عملکرد قابل قبولی داشته باشد و هم بتواند ویژگیهای بیشتری را نیز فراهم سازد. تکنولوژی FinFET در دنیای امروزه نیز برای ساخت پیشرفتهترین چیپستها به کار میرود اما محدودیتهایی نیز دارد. شرکتهای IBM و سامسونگ مدعی شدهاند که طراحی جدیدشان سبب میشود تا بتوان تراکم بیشتری از ترانزیستورها را در مقیاس برابری از چیپستها قرار داد. نحوهی چینش ترانزیستورها نیز به صورت عمودی خواهد بود. یعنی ترازیستورها به جای خوابیدن در کنار یکدیگر، به صورت عمودی چیده خواهند شد و نحوهی چینش آنها نیز به ترتیب از بالا به پایین خواهد بود (به جای قرار گرفتن کنار به کنار که در روشهای معمول به کار میرود).
چینش عمودی ترانزیستورها چند سالی است که تبدیل به موضوع محبوب دنیای سخت افزار شده است (همانطور که گفتیم تکنولوژی FinFET برخی از این فواید را به همراه دارد) و کار به جایی رسیده که حتی شرکتی همانند اینتل نیز در نقشهی راه چند سال بعد خود از این تکنولوژی استفاده و یاد کرده است. البته این موضوع بسیار منطقی به نظر میرسید و طبیعی بود که شرکتها به سمت این تکنولوژی حرکت کنند، چرا که وقتی به محدودیتهای چینش ترانزیستورها به صورت افقی میرسیم، طبیعی است که خود به خود به سمت امتحان کردن روش عمودی پیش خواهند رفت.
با وجود اینکه هنوز راه درازی تا عرضهی تراشههایی با تکنولوژی VTFET باقی مانده است اما باید اذعان کرد که شرکتهای سامسونگ و IBM در طرحهای مفهومی خود، نتایج جالب توجهی را ارائه کردهاند. یکی از آنها ” افزایش دو برابری عملکرد چیپستها در مقیاس برابر با FinFET” و دیگری ” کاهش 85 درصدی صرف انرژی برای عملکردی مشابه با عملکرد چیپستها FinFET و کاهش میزان هدر رفت انرژی” است. فارغ از اینها، به عقیدهی سامسونگ و IBM، با استفاده از طراحی ساخت چیپست با روش VTFET میتوان امیدوار بود که تا چند دههی آینده نیز قانون مور ادامه پیدا کند و به این زودیها متوقف نشود.
بازاریابی این تکنولوژی جدید هم بسیار آسان است! این دو شرکت از هم اکنون بر روی شعار “خالی شدن باتری پس از یک هفته” برای مردم عادی کار میکنند و افراد متخصص نیز میدانند که این چیپستها از چه تواناییهایی برخوردارند و یا در چه زمینههایی میتوانند به کار روند. تصور کنید که چه وسایلهای قدرتمندی برای پلتفرم اینترنت اشیاء میتوان ساخت و یا فضاپیماهای آینده با چه پتانسیل بیشتری میتوانند به سفرهای فضایی بروند. شرکت IBM پیش از اینها از فناوری تراشههای 2 نانومتری خود رونمایی کرده بود که از تکنولوژی و طراحی جدیدی برای قرار دادن ترانزیستورها در حجمی برابر با نسل قبلی خود استفاده میکرد که یکی از آنها تکنولوژی FinFET بود. حال میتوان انتظار داشت که طراحی VTFET بتواند با اهدافی جاه طلبانه پا به میدان بگذارد. هر چند که باید دید که میزان همکاری این دو شرکت به چه میزان خواهد بود و آیا در ادامهی مسیر مشکل خاصی پیش نخواهد آمد یا خیر!
این نکته را هم باید اشاره کنیم که IBM و سامسونگ تنها شرکتهایی نیستند که به سمت این اهداف خیز برداشتهاند! پیش از اینها شرکت اینتل هم با فناوری RibbonFET (اولین ترانزیستور Gate All Around) از اولین تراشهی فناوری FinFET خود رونمایی کرده بود که بخشی از تراشههای نسل 20A اینتل هستند و قرار است تا سال 2024 به بازار جهانی عرضه شوند.
دیدگاهتان را بنویسید