در چند سال گذشته، سامسونگ به دلیل مشکلات مداوم با تراشههای حافظه پهنباند (HBM) خود، میلیاردها دلار از درآمد خود را از دست داده است. اکنون سامسونگ قصد دارد اوضاع را بهبود بخشد و در تلاش است تا توسعه حافظه HBM4 را در نیمه اول سال جاری به پایان برساند.
توسعه تراشه حافظه HBM4 سامسونگ شش ماه زودتر از موعد برنامهریزیشده
براساس گزارشهایی از کره جنوبی، سامسونگ به صورت داخلی هدفی را تعیین کرده است که فرایند تأیید آمادگی تولید (PRA) برای تراشههای HBM4 را در نیمه اول سال جاری تکمیل کند. PRA اولین مرحله برای تولید انبوه است. پس از دستیابی به PRA، این تراشهها به استانداردهای داخلی سامسونگ برای تولید انبوه خواهند رسید.
این برنامه زمانی شش ماه زودتر از برنامه قبلی سامسونگ است که هدف داشت PRA را تا پایان سال جاری به دست آورد. همچنین این شرکت قصد داشت تولید انبوه نسل پنجم حافظههای HBM (HBM3E) را برای انویدیا و سایر مشتریان در نیمه اول سال جاری آغاز کند. اما به نظر میرسد این برنامهها تغییر کردهاند.
تأثیر انویدیا بر تصمیم سامسونگ برای تسریع تولید HBM4
گزارشها حاکی از آن است که انویدیا در تصمیم سامسونگ برای جلو انداختن آمادگی تولید HBM4 نقش داشته است. انویدیا برنامه دارد شتابدهنده هوش مصنوعی نسل بعدی خود را (با نام رمز روبین) در سهماهه سوم سال جاری معرفی کند. برنامه اصلی انویدیا این بود که تراشههای روبین را در اوایل سال 2026 عرضه کند.
گفته میشود هر تراشه شتابدهنده هوش مصنوعی روبین به چهار تراشه حافظه HBM4 مجهز خواهد بود.
احتمال رقابت شدید از سوی SK Hynix
به نظر میرسد که SK Hynix، رقیب محلی و بزرگترین رقیب سامسونگ در حوزه تراشههای حافظه، نیز آماده است تراشههای HBM4 خود را همزمان با عرضه تراشههای روبین توسط انویدیا روانه بازار کند. گزارش شده که جنسن هوانگ، مدیرعامل انویدیا، در نوامبر 2024 با چوی تائه-وون، رئیس گروه SK، ملاقات کرده و درخواست کرده است که توسعه تراشههای HBM4 تسریع شود.
چوی تائه-وون در نمایشگاه CES 2025 فاش کرد که سرعت توسعه HBM4 توسط SK Hynix کمی از انتظارات انویدیا فراتر رفته است. این موضوع نشان میدهد که SK Hynix پیشرفت قابلتوجهی در توسعه تراشههای HBM4 داشته است. این امر میتواند بار دیگر برای سامسونگ مشکلساز شود، چرا که سامسونگ در بخش حافظه که زمانی نقطه قوت این شرکت بود، از رقبا عقب افتاده است.
بهکارگیری فناوری DRAM نسل ششم 10 نانومتری
گفته میشود سامسونگ قصد دارد از فناوری DRAM نسل ششم 10 نانومتری (1c) برای تراشههای HBM4 خود استفاده کند. سامسونگ برای اولین بار در اکتبر 2024 توانست به نرخ بازدهی (نسبت تراشههای قابلقبول به کل تراشههای تولیدشده) در این فناوری دست یابد و اکنون در تلاش است تا این بازدهی را بیشتر بهبود بخشد.
برای سامسونگ حیاتی است که به بازدهی کافی دست یابد و با مشکلات گرمایشی یا عملکردی در تراشههای HBM4 خود مواجه نشود. اگر این شرکت بتواند در زمینه HBM4 موفق عمل کند، چشمانداز آینده سامسونگ بسیار مثبت خواهد بود.
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید