شرکت کره ای SK Hynix، رقیب اصلی Samsung در زمینه تراشه های نیمه هادی و حافظه های ترانزیستوری، به تازگی از یک نسخه جدید از تراشه های نیمه هادی خود پرده برداری کرده است. تراشه های جدید SK Hynix با لیتوگرافی 10 نانومتری تولید شده و در پشته های 8 گیگابیتی، برای استفاده در حافظه های رم DDR4 طراحی شده اند.
تراشه های 8 گیگابیتی Double Data Rate 4 یا همان DDR4، با 20 درصد افزایش بهره وری و 15 درصد کاهش مصرف انرژی، به نسبت نسل پیشین (1Xnm DRAM) طراحی و معرفی شده اند. سرعت انتقال داده در آنها تا 3200 مگابیت در ثانیه افزایش یافته است که به واقع سریعترین سرعت نقل و انتقال در رابط های DDR4 به شمار می روند.
این شرکت به همراه تراشه های جدید خود فناوری ابداعی 4-Phase Clocking را معرفی کرده است که کلاک سیگنال (Clock Signal) را افزایش داده و ضمن افزایش سرعت انتقال داده، ثبات را به منظور کاهش خطا افزایش خواهد داد. دومین تکنولوژی این شرکت کره ای، Sense Amp. Control نام دارد که برای کاهش مصرف انرژی و خطاهای داده به خدمت گرفته شده است. SK Hynix ساختار ترانزیستور را بهبود می بخشد تا احتمال خطاهای داده را کاهش و از پس چالش مشکلات ترانزیستور به دلیل کاهش ابعاد آن برآید.
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید