ساخت ترانزیستور 1 نانومتری برای شکستن قانون مور

قانون مور یکی از اصول تقریبا ثابت دنیای تکنولوژی در چند دهه اخیر بوده است. بر اساس یکی از نتایج قانون مور، علومی مانند الکترونیک به زودی به یک محدودیت فیزیکی برخورد خواهند کرد که مانع از پیشرفت ساخت ترانزیستورهای کوچکتر و قدرتمندتر کردن پردازنده ها می شود. با این حال راهکارهای مختلفی برای عبور از این محدودیت پیشنهاد شده اند که نظریه آشوب یکی از این موارد است. اخیرا محققان توانسته اند یک ترانزیستور 1 نانومتری تولید کنند که می تواند شرایط را به کلی تغییر دهد.

سال هاست که تصور می شود گیت های زیر 5 نانومتری قابلیت عملکرد در شرایط عادی را ندارند. به همین دلیل تولید هر چیزی کوچکتر از این عدد عملا غیر ممکن به نظر می رسید. با این حال محققین دانشگاه کالیفرنیا در برکلی با استفاده از نانوتیوب های کربنی یا گرافن ها توانسته اند بر این باور غلبه کنند. این تیم موفق به ساخت یک گیت 1 نانومتری شده اند که می تواند ابعاد تجهیزات الکترونیکی را تا میزان زیادی کاهش دهد زیرا در حال حاضر ترانزیستورهای سیلیکونی فعلی دارای گیت های 20 نانومتری هستند. با این حال گرافن تنها ماده مورد استفاده در این آزمایش نبوده است. در واقع دی سولفید مولیبدن یا MoS2 نیز دیگر ماده ای بوده که محققان را در دستیابی به این پیشرفت همراهی کرده است.

مشکل اصلی استفاده از عناصری به جز سیلیکون در ساخت ترانزیستورهای کوچکتر از 5 نانومتر، دشوار شدن جریان الکترون ها درون مواد و نبودن قابلیت خاموش کردن ترانزیستورها است. با این حال در سال 2008 گروهی از دانشمندان در دانشگاه منچستر از گرافن برای ساخت ترانزیستورهای 1 نانومتری استفاده کرده بودند. همچنین در سال 2006 نیز گروهی از محققین در کره جنوبی با استفاده از تکنیک FinFET موفق به تولید ترانزیستوری با طول کانال 3 نانومتر شده بودند. پیشبرد این شرایط می تواند باعث پشت سر گذاشتن محدودیت هایی که قبلا پیش بینی شده بودند و در نتیجه قدرتمند تر کردن و در عین حال کوچک تر کردن گجت های دیجیتال شود.

برای اطلاع از جدیدترین اخبار دنیای دیجیتال، قیمت انواع قطعات سخت افزاری و تجهیزات الکترونیکی، آگاهی از اخبار مرتبط با تکنولوژی از جمله نوسان قیمت ارز، تصاویر، ویدئوها و مطالب آموزشی اختصاصی به کانال تلگرام وب سایت سخت افزار بپیوندید: telegram.me/sakhtafzarmag