سال 2020 از راه رسیده و کمپانیهای بزرگ فناوری از همین حالا سخت به دنبال فناوریهای جدید و پیشرفت در حوزههای مختلف هستند. در دنیای تراشه در حال حاضر بیشترین سهم در اختیار تراشههای 7 نانومتری است و تقاضا برای این تراشه ها در سال جدید خصوصا نیم سال دوم به طور چشمگیری افزایش پیدا خواهد کرد. بر اساس شایعات، انویدیا سفارش تراشههای 7 نانومتری را به سامسونگ و TSMC برای به کارگیری در نسل بعدی گرافیکهای خود که با نام Ampere در اواسط سال 2020 از راه میرسند ارائه داده است.
TSMC هم که در حال سرمایه گذاری هنگفتی بر روی معماری 5 نانومتری است، خود را برای سفارش بزرگ اپل از تراشههای 5 نانومتری به منظور استفاده در چیپست A14 برای آیفون 12 آماده میکند. حال سامسونگ در اقدامی غافل گیرانه، موفق به ساخت اولین نمونههای آزمایشی از تراشههای 3 نانومتری شده است. به گزارش Korean Maeil Economy، هدف سامسونگ تبدیل شدن به بزرگترین تراشه ساز دنیا در سال 2030 است. سامسونگ بر روی لیتوگرافی 3 نانومتری بر پایه فناوری GAAFET کار کرده و این فناوری به فناوری FinFET ترجیح داده شده است. به موجب استفاده از این فناوری، ابعاد کلی سیلیکون 35 درصد کاهش پیدا کرده و حدودا 50 درصد مصرف انرژی بهینه تری دارد در حالی که در مقایسه با معماری 5 نانومتری FinFET تا 33 درصد عملکرد بهتری را ارائه میدهد.
اولین باری که در گزارشی شنیدیم سامسونگ بر روی لیتوگرافی 3 نانومتری کار میکند به یک سال پیش بازمیگردد که گفته شده بود هدف تولید انبوه این تراشه ها در سال 2021 است. هر چند حال که کمپانی کره ای اکنون موفق به ساخت نمونههای آزمایشی شده، احتمالا قادر به رسیدن به این هدف زودتر از موعد تعیین شده خواهد بود. طراحی معماری GAAFET برگرفته از طراحی FinFET است و دارای 4 گیت بر روی کانال میباشد که موجب کاهش نشت قدرت و بهبود کنترل بر روی کانال میشود که موفقیتی اساسی در روند ساخت تراشه به شمار میرود و باعث میشود راندمان تراشهها به مراتب بیش از پیش افزایش یابد.
توسط 
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید