شرکت “سامسونگ الکترونیک” که یکی از بزرگترین سازندگان درایو های SSD و فناوری های وابسته به آن است، نسل جدید حافظه های ذخیره سازی خود را در حالی معرفی کرده است که با یک تکنولوژی ستودنی روبرو هستیم. سامسونگ نشان داده است که حتی جنگ تجاری بین کره جنوبی و لجبازی ژاپن هم نمی تواند کره ای ها را از برنامه ریزی خود عقب بگذارد.
سامسونگ اعلام کرد که خوشبختانه توسعه حافظه های 3D V-NAND به قوت خود باقی بوده و به موقع و طبق برنامه ریزی قبلی، معرفی خواهند شد. نسل ششم از تراشه های Samsung 3D V-NAND سامسونگ با 136 لایه معرفی شده اند. تراشه های 3 بیتی با ظرفیت 256 گیگابیت برای هر بسته، که با مصرف کمتر جریان و کاهش ابعاد تراشه ها، از سرعت به مراتب بالاتری برخوردار هستند.
سامسونگ در نظر دارد تا اولین مدل های نسل ششم با 136 لایه را در حافظه های SSD SATA III مورد استفاده قرار داده و همزمان حافظه های جدید eUFS را با این تکنولوژی وارد بازار کند. البته اینبار هم به مانند گذشته این فناوری نه فقط در محصولات سامسونگ، بلکه به دیگر شرکت های سازنده SSD نیز مورد استفاده قرار خواهد گرفت که حافظه های خود را از سامسونگ خریداری می کنند. تراشه های جدید با استفاده از فناوری Channel Hole Etching تا 40 درصد سلول بیشتری را در هر تک لایه تزریق خواهند کرد.
از آنجا که ارتفاع پشته ها نیز افزایش یافته است (136 لایه بر روی یکدیگر برای هر die) تراشه های فلش NAND تمایل به آسیب پذیری بیشتر در برابر خطاها و تأخیر در خواندن اطلاعات دارند. از این رو سامسونگ یک راه حل را در نظر گرفته است؛ سامسونگ برای غلبه بر چنین محدودیت هایی ، طراحی مدار بهینه سازی شده ای را به خدمت گرفته است که سرعت خیره کننده ای را ارائه می دهد.
تنها 450 میکرو ثانیه برای نوشتن و 45 میکرو ثانیه برای خواندن. این مقادیر به نسبت تراشه های نسل پنجم تا 10 درصد پیشرفت را نشان می دهند. در نهایت نسل ششم از تراشه های 3D V-NAND با سرعت بالاتر، ظرفیت بهبود یافته و حتی مصرف جریان بهینه تر معرفی شده اند.
توسط 
توسط 
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید