رم 512 گیگابایتی DDR5 سامسونگ با سرعت 7200 مگابایت در ثانیه

شرکت معظم سامسونگ از توسعه اولین ماژول حافظه DDR5 با ظرفیت 512 گیگابایت خبر داده است. این ماژول‌های حافظه به قصد پردازش بهتر در زمینه هوش مصنوعی، یادگیری ماشین، محاسبات گسترده (exascale hyper-computing)، تجزیه و تحلیل، شبکه و سایر حوزه‌ها تولید خواهند شد. برای جزئیات بیشتر با ما همراه باشید.

فرآیند HKMG بکار رفته در رم 512 گیگابایتی DDR5 سامسونگ

سامسونگ ادعا کرده که این ماژول‌های حافظه دارای فرآیند HKMG یا High-K Metal Gate هستند که قبلا برای تولید ماژول‌های GDDR6 VRAM توسط همین شرکت استفاده شده است. فرآیند یادشده به ماژول‌های حافظه این امکان را می‌دهد تا (به نسبت مدل‌های قبلی) 13 درصد انرژی کمتری استفاده کنند و از هدر رفت برق نیز جلوگیری کنند. از نظر بهره‌وری نیز حافظه 512 گیگابایتی DDR5 سامسونگ عملکردی دو برابری حافظه DDR4 یعنی با سرعت حداکثر 7200 مگابایت بر ثانیه را ارائه می‌دهد. این حافظه در مجموع دارای 40 تراشه DRAM است که هر تراشه DRAM دارای هشت لایه ماژول DRAM 16 گیگابایتی است که روی هم قرار گرفته و با تکنولوژی TSV (Through-Silicon-Via) به هم متصل شده‌اند.

رم 512 گیگابایتی DDR5 سامسونگ نیز توسط یک ساختار با 8 لایه TSV ساخته شده است. همانطور که در بالاتر به آن اشاره کردیم، فرآیند HKMG به کار رفته در این محصول علاوه بر اینکه سرعت DDR4 را دو برابر می‌کند، مصرف انرژی آن را 13 درصد کاهش می‌دهد. یانگ سو سون، نایب رئیس گروه برنامه ریزی و توانمندسازی حافظه DRAM در سامسونگ الکترونیک اعلام کرد: “سامسونگ تنها شرکت نیمه هادی جهان است که توانایی استفاده از فناوری پیشرفته HKMG در توسعه محصول حافظه خود برخوردار است. با آوردن این نوع نوآوری در فرآیند تولید حافظه‌های DRAM، ما قادر به ارائه محصولات حافظه جدیدتر با عملکرد بالا و در عین حال مصرف پایین (برای تأمین انرژی رایانه‌های مورد نیاز) برای تحقیقات پزشکی، بازارهای مالی، ماشین‌های خودران، شهرهای هوشمند و فراتر از آن هستیم.”

کارولین Duran، معاون قسمت حافظه و فناوری IO در شرکت اینتل در این رابطه افزود: “تیم‌های مهندسی اینتل از نزدیک با سامسونگ همکاری می‌کنند تا حافظه سریع و کم مصرف DDR5 را ارائه دهند. این حافظه‌ها عملکرد بهینه شده و سازگار با پردازنده‌های آینده Xeon  Intel، با کد Sapphire Rapids را دارا هستند.”

حافظه DDR5 سامسونگ از فناوری HKMG بسیار پیشرفته (که به طور سنتی در حافظه‌های منطقی استفاده می‌شود) استفاده خواهد کرد. در حافظه‌های DRAM، لایه عایق نازک شده که این موضوع منجر به نشت انرژی و برق بالاتر می‌شود. با جایگزینی مواد عایق با مواد HKMG ، حافظه DDR5 سامسونگ قادر خواهد بود تا همزمان نشت انرژی را کاهش داده و عملکرد خود را بهبود ببخشد. فرآیند HKMG برای اولین بار در حافظه GDDR6 سامسونگ در سال 2018 به کار گرفته شد. سامسونگ با گسترش نفوذ خود در حافظه‌های DDR5، پیشتازی خود را در فناوری نسل بعدی DRAM بیش از پیش تثبیت کرد.

سامسونگ تاکنون درباره تاریخ عرضه این محصولات خبری منتشر نکرده اما به احتمال زیاد این محصول تا اواخر سال جاری عرضه خواهد شد.