سامسونگ به طور رسمی فناوری های حافظه نسل بعدی خود از جمله HBM3E، GDDR7، LPDDR5x CAMM2 و موارد دیگر را در رویداد Memory Tech Day 2023 خود معرفی کرده است. این رویداد به صورت ویژه بر روی معرفی و ارائه جدیدترین دست آوردها این شرکت در زمینه فناوریهای مربوط به حافظه است، که میتواند در آینده تاثیرات مهمی بر روی حافظههای رم، کارت گرافیکها و حافظههای ذخیره سازی بگذارد. در میان موارد معرفی شده، دو مورد حافظه HBM3E سامسونگ با کد “Shine Bolt” و GDDR7 برای نسل بعدی برنامههای هوش مصنوعی را میتوان از مهمترین محصولات معرفی شده قلمداد کرد.
سامسونگ اولین حافظه GDDR7 با سرعت 32 گیگابیت در ثانیه را معرفی کرد
حافظه سامسونگ HBM3E ” Shinebolt” برای هوش مصنوعی و مراکز داده
با تکیه بر تخصص سامسونگ در تجاری سازی اولین HBM2 صنعت و باز کردن بازار HBM برای محاسبات با کارایی بالا (HPC) در سال 2016، این شرکت امروز نسل بعدی DRAM HBM3E خود را با نام Shinebolt معرفی کرد. Shinebolt سامسونگ به برنامههای هوش مصنوعی نسل بعدی نیرو میبخشد، که در نهایت هزینه کلی نسبت به راندمان را بهبود میبخشد و آموزش مدلهای هوش مصنوعی و استنتاج در مرکز داده را سرعت میبخشد.
HBM3E دارای سرعت قابل توجه 9.8 گیگابیت بر ثانیه (Gbps) در هر پین است، به این معنی که میتواند نرخ انتقال بیش از 1.2 ترابایت در ثانیه (TBps) را به دست آورد. به منظور فعال کردن پشتههای لایههای بالاتر و بهبود ویژگیهای حرارتی، سامسونگ فناوری non-conductive film یا به اختصار (NCF) خود را برای از بین بردن شکافهای بین لایههای تراشه و به حداکثر رساندن هدایت حرارتی بهینه کرده است. محصولات 8H و 12H HBM3 سامسونگ در حال حاضر در حال تولید انبوه هستند و نمونه های Shinebolt برای مشتریان ارسال شده است.
سامسونگ GDDR7، سی و دو گیگابیت بر ثانیه و 32 گیگابیت DRAM برای گرافیک های گیمینگ نسل بعدی
محصولات دیگری که در این رویداد برجسته شدند عبارتند از DRAM سی و دو گیگابایتی DDR5 با بالاترین ظرفیت صنعتی، اولین GDDR7 با سرعت 32 گیگابیت در ثانیه و PBSSD در مقیاس پتابایت بودند که افزایش قابل توجهی در قابلیتهای ذخیرهسازی برای برنامههای کاربردی در سرورها را ارائه میدهد.
به گفته سامسونگ، حافظه GDDR7 در مقایسه با سریعترین DRAM بیست و چهار گیگابیتی در ثانیه و GDDR6 که تا ظرفیت 16 گیگابیت را ارائه میکند، 40 درصد افزایش عملکرد و 20 درصد بهبود بهرهوری انرژی را به همراه خواهد داشت. اولین محصولات با سرعت انتقال تا 32 گیگابیت در ثانیه رتبه بندی میشوند که نشان دهنده بهبود 33 درصدی نسبت به حافظه GDDR6 در حالی که به پهنای باند 1.5 ترابایت بر ثانیه میرسد که یک رابط باس 384 بیتی را ممکن میکند.
سرعت در پیکربندیهای مختلف:
- 512 بیت – 2048 گیگابایت بر ثانیه (2.0 ترابایت بر ثانیه)
- 384 بیت – 1536 گیگابایت بر ثانیه (1.5 ترابایت بر ثانیه)
- 320 بیت – 1280 گیگابایت بر ثانیه (1.3 ترابایت بر ثانیه)
- 256 بیت – 1024 گیگابایت بر ثانیه (1.0 ترابایت بر ثانیه)
- 192 بیت – 768 گیگابایت بر ثانیه
- 128 بیت – 512 گیگابایت بر ثانیه
این شرکت همچنین نمونههای اولیهای را که با سرعت 36 گیگابیت بر ثانیه اجرا میشوند را آزمایش کرده است، به نظر میرسد که هنوز راه درازی مانده است تا این نمونههای اولیه برای نسل بعدی بازیهای گرافیکی و AI GPU آماده شوند.
حافظه GDDR7 همچنین 20 درصد بازده بالاتری را ارائه می دهد و با توجه به اینکه حافظه انرژی زیادی را برای پردازنده های گرافیکی سطح بالا مصرف می کند بسیار عالی است. گفته میشود که DRAM GDDR7 سامسونگ شامل فناوری بهینهسازی شده برای بارهای کاری پرسرعت میشود و همچنین یک گزینه ولتاژ عملیاتی پایین برای برنامههایی با مصرف انرژی آگاهانه مانند لپتاپها طراحی شده است. برای گرما، استاندارد حافظه جدید از ترکیب قالبگیری اپوکسی (EMC) با هدایت حرارتی بالا استفاده میکند که مقاومت حرارتی را تا 70 درصد کاهش میدهد. در ماه آگوست گزارش شد که سامسونگ در حال نمونه برداری از DRAM GDDR7 خود به NVIDIA برای ارزیابی زودهنگام کارت گرافیک های گیمینگ نسل بعدی خود است.
Samsung LPDDR5x برای ماژولهای نسل بعدی CAMM2، طرحهای لاغرکننده موبایل
به منظور پردازش وظایف فشرده داده، فناوریهای هوش مصنوعی امروزی به سمت یک مدل ترکیبی حرکت میکنند که بار کاری را بین دستگاههای ابری و لبهای تخصیص و توزیع میکند. بر این اساس، سامسونگ مجموعه ای از راه حل های حافظه را معرفی کرد که از عملکرد بالا، ظرفیت بالا، کم مصرف و فرم های کوچک در لبه پشتیبانی می کنند.
علاوه بر اولین 7.5 گیگابیت بر ثانیه LPDDR5X CAMM2 صنعت که انتظار میرود یک تغییر دهنده واقعی بازی در بازار DRAM رایانههای شخصی و لپتاپهای نسل بعدی باشد، این شرکت همچنین DRAM 9.6 گیگابیت بر ثانیه LPDDR5X، LLW DRAM تخصصی خود را برای هوش مصنوعی روی دستگاه به نمایش گذاشت. نسل حافظه فلش جهانی (UFS) و SSD سلول چهار سطحی (QLC) با ظرفیت بالا BM9C1 برای رایانه های شخصی.
مطالب مرتبط:
توسط 
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید