منابع صنعتی نیمه‌رسانا اخیراً به روزنامه تایوانی Commercial Times گفته‌اند که TSMC قصد دارد برای ویفر هایی که با فرآیند 2 نانومتری N2 تولید می‌کند، بیش از 30 هزار دلار دریافت کند. این اقدام افزایش قیمت‌هایی را که در طول یک دهه اخیر شدت گرفته، ادامه خواهد داد.
همزمان با آماده‌شدن شرکت TSMC و دیگر تولیدکنندگان نیمه‌رسانا برای گذار به ترانزیستورهای پیشرفته 2 نانومتری، گزارش‌های جدیدی درباره برنامه‌های این غول تایوانی منتشر شده است. اگرچه هنوز تایید نشده‌اند، ادعاهای مربوط به افزایش قیمت‌ها با تحلیل‌های قبلی و روندهای این شرکت در سال‌های اخیر همخوانی دارد.
افزایش قیمت ویفر های 2 نانومتری tsmc
دلیل این افزایش قیمت قابل‌پیش‌بینی است. انتظار می‌رود تولید نیمه‌رساناهای 2 نانومتری پیچیده‌تر و دقیق‌تر از ویفرهای 3 نانومتری باشد که در حال حاضر پیشرفته‌ترین فناوری را نمایندگی می‌کنند. افزایش هزینه‌ها شامل نرم‌افزار، نیروی انسانی و وابستگی بیشتر به لیتوگرافی EUV (فرابنفش شدید) است که بسیار گران‌قیمت است. با این حال، استفاده از طراحی مبتنی بر هوش مصنوعی احتمالاً تأثیر منفی این افزایش هزینه‌ها را کاهش می‌دهد.
اگر این گزارش‌ها درست باشند، از تحلیل سال گذشته شرکت مشاوره IBS پشتیبانی می‌کنند. این گروه تخمین زده بود که ساخت یک کارخانه تولید نیمه‌رسانای 2 نانومتری که بتواند ماهانه 50 هزار ویفر تولید کند، حدود 28 میلیارد دلار هزینه خواهد داشت. این رقم حدود 8 میلیارد دلار بیشتر از هزینه ساخت یک کارخانه تولید 3 نانومتری است. علاوه بر این، هزینه تخمینی هر ویفر نشان‌دهنده افزایش 50 درصدی نسبت به 3 نانومتری و دوبرابرشدن نسبت به 4 یا 5 نانومتری است.
قیمت‌ها برای مشتریان مختلف TSMC متفاوت خواهد بود، اما این ارقام با 3000 دلار ترانزیستورهای 28 نانومتری در سال 2014 فاصله زیادی دارند. در واکنش به این روند، برخی اشاره کرده‌اند که در برخی جنبه‌ها، هزینه هر ترانزیستور از زمان 28 نانومتری ثابت مانده و عملاً بخشی از قانون مور که به کاهش هزینه‌ها اشاره دارد، متوقف و باعث افزایش قیمت تراشه‌های پیشرفته رایانه‌ای شده است.
با استفاده از ترانزیستورهای نواری (نانوشیت) و سایر نوآوری‌ها، فرآیند N2 وعده کاهش 25 تا 30 درصدی مصرف انرژی نسبت به 3 نانومتری، افزایش 10 تا 15 درصدی در عملکرد و حدود 15 درصد افزایش در تراکم ترانزیستورها را می‌دهد. TSMC قصد دارد تولید انبوه N2 را در نیمه دوم سال 2025 آغاز کند. گزارش‌ها حاکی است که اپل تمام ظرفیت اولیه تولید 2 نانومتری TSMC را که انتظار می‌رود برای آیفون 17 پرو استفاده شود، رزرو کرده است.
سامسونگ، اینتل و شرکت ژاپنی Rapidus نیز برنامه‌های مشابهی برای تولید نیمه‌رسانا دارند، اما بعید است که بتوانند فشار زیادی بر TSMC وارد کنند. سامسونگ با نرخ بازدهی کمتر از 20 درصد روبه‌رو شده که این شرکت را بسیار عقب‌تر از TSMC قرار داده است.
در همین حال، اینتل اخیراً گره 20A (2 نانومتری) خود را که در ابتدا برای امسال برنامه‌ریزی شده بود، لغو کرد و قرار است سال آینده فرآیند 18A را معرفی کند. این شرکت همچنین برای جدیدترین نسل پردازنده‌های خود از ترانزیستورهای TSMC استفاده خواهد کرد. Rapidus، که با IBM همکاری می‌کند، قصد دارد فرآیند 2 نانومتری خود را سال آینده معرفی کند، اما تولید انبوه آن قبل از سال 2027 آغاز نخواهد شد.
دیدگاهتان را بنویسید