می‌توانید انتظار عرضه لیتوگرافی 3 نانومتری سامسونگ در سال 2022 را داشته باشید که به همراه خود بهبودهای قابل توجهی را به تکنولوژی ترانزیستورها می‌آورد.
قبلا اشاره شده بود که سامسونگ روی تکنولوژی Gate-All-Aroud FET کار می‌کند که کنترل بسیار بهتری را روی کانال‌های ترانزیستور اعطا خواهد کرد و از نشت در نودهای کوچک‌تر جلوگیری می‌کند. با این حال سامسونگ حالا جزئیاتی را درباره تکنولوژی Multi Bridge Channel FET برای فناوری ساخت 3 نانومتری خود به اشتراک گذاشته که البته به سادگی آن را MBCFET خطاب می‌کند. به لطف گزارش منتشر شده از سوی Hardwareluxx ما جزئیات بیشتری را درباره MBCFET و قابلیت‌های آن در اختیار داریم.
در ابتدا باید اشاره کنیم که MBCFET جزئی از GAAFET است یعنی GAAFET یک محصول نیست بلکه یک کلاس برای محصولات مختلف بر پایه این تکنولوژیست. تا جایی که عملکرد MBCFET نشان می‌دهد، سامسونگ ادعا می‌کند که این تکنولوژی تا 50 درصد مصرف انرژی کمتر را در حالی که 30 درصد کارایی بیشتر ارائه می‌دهد، در اختیار تولید کنندگان خواهد گذاشت. همچنان قرار است تراکم بسیار بیشتری را شاهد باشیم، جایی که سامسونگ پیش بینی می‌کند تقریبا هر ترانزیستور 45 درصد فضای سیلیکون کمتری را اشغال کند. این مقایسه البته با یک فناوری ساخت نامشخص 7 نانومتری صورت پذیرفته، احتمالا فناوری که از FinFET استفاده می‌کند.
این تکنولوژی اجازه می‌دهد تا ترانزیستورها روی یکدیگر قرار گیرند که یعنی فضای کمتر نسبت به حالت معمول FinFET. ترانزیستورهای MBCFET GAA باعث می‌شوند که عرض ترانزیستور انعطاف پذیرتر باشد یعنی ترانزیستور پشته سازی شده می‌تواند به اندازه‌ای که یک طراح نیاز دارد عریض باشد تا هر برای هر سناریویی مناسب باشد، مانند حالت کم مصرف یا کارایی بالا.
توسط 
سلام آقای کرماجانی،ببخشید فکر کنم این لیتوگرافی 3 نانومتری احتمالا با n7 ساده مقایسه شده نه 7nm euv درسته؟
tsmc هم اواخر 2022 لیتوگرافی 3nm رو تولید انبوه میکنه،با توجه به مشخصاتی که فعلا از لیتوگرافی n5 و n5p شرکت tsmc داریم و اینکه از 14 لایه فرابنفش در مقابل 4 یا 5 لایه در ++n7 و n6 استفاده میکنه و انتظاری که از لیتوگرافی 3nm شرکت tsmc داریم،فکر کنم لیتوگرافی 5nm شرکت tsmc معادل 3nm سامسونگ هست و 3nm شرکت tsmc از همه لحاظ بهتر از 3nm سامسونگ هست درسته؟
سلام و عرض ادب.
والا همونطور که توی متن نوشته شده، سامسونگ اعلام نکرده با چه لیتوگرافی 7 نانومتری مقایسه شده. یه نکته‌ای رو هم بگم لیتوگرافی هر تولید کننده فرق میکنه، شاید شبیه بهم باشند اما مثلا لیتوگرافی 7 نانومتری سامسونگ با 7 نانومتری TSMC یکی نیست. یعنی باید ببینیم که باز سامسونگ این مقایسه رو با لیتوگرافی خودش انجام داده یا لیتوگرافی TSMC.
لیتوگرافی 3 نانومتری TSMC هنوز اطلاعات فنی زیادی ازش بیرون نیومده و خیلی زود هست که بخوایم بگیم بهتر از مدل سامسونگ هست. اما یه نکته‌ای که وجود داره سامسونگ معمولا اول به سراغ لیتوگرافی‌های Low Power می‌ره که مناسب چیپ‌های اسمارت فون هستن، البته TSMC هم همین کارو میکنه اما با وجود مشتری دیگه‌ای مثل AMD که حجم سفارشاتش هم روز به روز افزایش پیدا میکنه مجبوره لیتوگرافی قدرتمندتری رو مد نظر قرار بده.
این که انویدیا هم احتمالا به سراغ سامسونگ رفته واسه نسل بعد اتفاق خوبیه ولی خب متأسفانه از فناوری کمی قدیمی‌تر 10 نانومتری استفاده میکنه و این یعنی سامسونگ نیازی به عجله در عرضه لیتوگرافی قدرتمندتر 7 نانومتر یا 5 نانومتر نداره و اسمارت فون‌هارو تو اولویت قرار خواهد داد.
احساس میکنم پیچیده تر داره میشه