Samsung Foundry ساعاتی پیش از نقشه راه فرآیند تراشههای نیمههادی بهروزشده خود رونمایی کرد. در جریان نمایشگاه SFF 2024 در ایالات متحده، سامسونگ از نقشه راه فرآیند خود برای ساخت تراشه های 2 و 3 نانومتری و برنامههایی برای گرههای تخصصی برای تراشههای هوش مصنوعی و خودرو رونمایی کرد.
سامسونگ نمایشگاه سالانه Samsung Foundry Forum 2024 را در دفتر مرکزی Device Solutions America در سن خوزه، کالیفرنیا برگزار کرد. این شرکت در طول این رویداد، نقشه راه فناوری فرآیند بهروزشده خود را که شامل دو گره پیشرفته جدید است، رونمایی کرد: SF2Z و SF4U.
شرکت سامسونگ فاش کرد که آماده شروع ساخت انبوه ساخت تراشه های 2 نانومتری برای دستگاههای تلفن همراه در سال 2025 خواهد بود. نسل اول فرآیند 2 نانومتری شرکت بهنام SF2 در سال آینده آماده خواهد شد. نسخه بهبودیافته فرآیند 2 نانومتری با نام SF2P نیز در سال 2026 آماده خواهد بود.
برنامه سامسونگ برای تراشههای هوش مصنوعی و خودرو
نسخه تخصصی گره 2 نانومتری با نام SF2X، برای تراشههای هوش مصنوعی (AI) و محاسبات با عملکرد بالا (HPC و سرورها) طراحی شده است و در سال 2026 آماده خواهد شد.
گره فرآیند 2 نانومتری نسل چهارم این شرکت با نام SF2Z، از فناوری پیشرفته شبکه تحویل توان پشتی (BSPDN) برای بهرهوری انرژی و دماهای بهتر استفاده میکند و از ریلهای برق در پشت ویفر برای رفع تنگناهای بین خطوط برق و سیگنال کمک میگیرد. این نسخه در سال 2027 برای تولید انبوه آماده میشود.
گونهای از فرایند 2 نانومتری سامسونگ برای تراشه های خودرو وجود خواهد داشت که SF2A نام دارد و برای تولید انبوه در سال 2027 آماده خواهد شد. این شرکت ادعا کرد که معماری ترانزیستور Gate All Around (GAA) آن هم از نظر عملکرد و هم از نظر بازده بهطور مداوم در حال بلوغ است. GAA که با فرآیند 3 نانومتری معرفی شد، در فرآیندهای 2 نانومتری نیز اعمال خواهد شد.
سامسونگ تولید انبوه تراشههای 3 نانومتری (SF3E) را در نیمه دوم سال 2022 آغاز کرد، اما فقط میتوانست برای تراشههای استخراج ارزهای دیجیتال سادهتر قرارداد ببندد. نسل دوم فرآیند 3 نانومتری آن SF3 نام دارد و آماده تولید انبوه است. در حالی که این شرکت اطلاعاتی درمورد تراشههای احتمالی مبتنی بر این فناوری فاش نکرد، برخی گزارشها حاکی از آن است که اگزینوس W1000 خود سامسونگ اولین تراشه ای خواهد بود که از این فناوری استفاده میکند.
اواخر امسال، این شرکت همچنین میتواند تولید انبوه چیپست نسل بعدی اگزینوس گوشی هوشمند خود را برای سری گلکسی S25 آغاز کند. همچنین قادر است از فرآیند SF3 استفاده کند که اوایل سال آینده رونمایی میشود.
SF4X، نسل چهارم فرآیند 4 نانومتری این شرکت، برای استفاده از هوش مصنوعی و HPC آماده است. سال آینده، این شرکت با SF4A، یک نوع گره فرآیند 4 نانومتری که برای تراشههای خودرو بهینه شده است، آماده خواهد شد. SF4U، گره فرآیند 4 نانومتری کاملاً جدید آن، با استفاده از انقباض نوری، بهبود عملکرد، قدرت و مساحت (PPA) را ارائه میدهد و در سال 2025 آماده عرضه خواهد بود.
دکتر سیونگ چوی، رئیس و رئیس ریختهگری سامسونگ، گفت: در زمانی که فناوریهای متعددی پیرامون هوش مصنوعی در حال تکامل هستند، کلید اجرای آن در نیمههادیهای با کارایی بالا و کممصرف نهفته است. در کنار فرآیند اثبات شده GAA که برای تراشههای هوش مصنوعی بهینه شده است، ما قصد داریم فناوری اپتیک یکپارچه (CPO) را برای پردازش دادههای پرسرعت و کممصرف معرفی کنیم و به مشتریان خود راهحلهای هوش مصنوعی یک مرحلهای را ارائه کنیم که برای پیشرفت در آن نیاز دارند.
سامسونگ همچنین از پلتفرم یکپارچه راهحلهای هوش مصنوعی خود رونمایی کرد که با ارائه نقاط قوت منحصربهفرد برند، که بستهبندی پیشرفته، ریختهگری و حافظه است، به مشتریان کمک میکند. این در حالی است که رقیب آن، TSMC، فاقد تخصص در مورد تراشههای حافظه نیمه هادی است.
این شرکت قصد دارد با بهرهگیری از نقاط قوت منحصربهفرد خود گزینههایی کممصرف با پهنای باند و کارایی بالا ارائه دهد که میتواند براساس نیازهای هوش مصنوعی مشتریان سفارشی شود. این شرکت میتواند به کمک هوش مصنوعی مشتریانی مانند AMD و انویدیا را جذب کند.
سامسونگ فوندری همچنین در تلاش است تا مجموعه مشتریان خود را با تامین نیازهای تراشههای نیمه هادی در بخشهای اینترنت اشیا (IoT)، پزشکی و پوشیدنی متنوع کند. این شرکت با چندین شریک طراحی و آزمایش تراشه از جمله ARM و Groq همکاری می.کند تا یک اکوسیستم نیمه هادی ایجاد کند که سریعتر پیشرفت کند.
توسط 
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید