درایو های جامد M7V پلکستور بهترین انتخاب برای سیستم های به روز گیمینگ به شمار می روند چراکه سرعت و ماندگاری بالایی دارند و در عین حال مقرون به صرفه نیز هستند.
در حال حاضر ظرفیت های 128، 256 و 512 گیگابایتی از Plextor M7V به تولید می رسد و هر سه مدل از کنترلر MarvelI 88SS1074B1 بهره می برند. چیپ ست های حافظه به کار رفته در سری M7V از نوع سه لایه موسوم به TLC NAND هستند که با استفاده از فناوری 15 نانومتری توسط توشیبا به تولید می رسند. در نسخه 128 گیگابایتی حافظه نهان با حجم 256 مگابایت از نوع DDR3 در نظر گرفته شده و سرعت خواندن و نوشتن اطلاعات در این درایو به ترتیب 560 و 500 مگابایت در ثانیه است. میزان حافظه نهان در درایو 256 گیگابایتی به 512 مگابایت از نوع DDR3 افزایش می یابد و همچنین شاهد افزایش سرعت نوشتن اطلاعات به 530 مگابایت در ثانیه هستیم.
سریع ترین درایو سری M7V با ظرفیت 512 گیگابایت از حافظه نهان 768 مگابایتی از نوع DDR3 بهره می برد و سرعت خواندن و نوشتن آن مشابه با درایو 256 گیگابایتی است. سرعت خواندن و نوشتن تصادفی در درایو 128 گیگابایتی به ترتیب 97 هزار و 51 هزار IOPS می باشد که در درایو های 256 و 512 گیگابایتی به 98 هزار برای خواندن و 84 هزار برای نوشتن افزایش می یابد. حداکثر داده قابل نوشتن روی درایو PX-128M7VC برابر با 80 ترابایت است که در دو درایو دیگر به 160 و 320 ترابایت ارتقا پیدا می کند.
مدل | PX-128M7VC | PX-256M7VC | PX-512M7VC |
ظرفیت | 128 گیگابایت | 256 گیگابایت | 512 گیگابایت |
کنترلر | Marvel l 88SS1074B1 | Marvel l 88SS1074B1 | Marvel l 88SS1074B1 |
سرعت خواندن ترتیبی | 560 مگابایت در ثانیه | 560 مگابایت در ثانیه | 560 مگابایت در ثانیه |
سرعت نوشتن ترتیبی | 500 مگابایت در ثانیه | 530 مگابایت در ثانیه | 530 مگابایت در ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی | 97 هزار IOPS | 98 هزار IOPS | 98 هزار IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی | 51 هزار IOPS | 84 هزار IOPS | 84 هزار IOPS |
حافظه نهان | 256 مگابایت DDR3 | 512 مگابایت DDR3 | 768 مگابایت DDR3 |
نوع چپ ست حافظه | TLC با فناوری 15 نانومتری توشیبا | TLC با فناوری 15 نانومتری توشیبا | TLC با فناوری 15 نانومتری توشیبا |
طول عمر از نظر نوشتن داده | 80 ترابایت | 160 ترابایت | 320 ترابایت |
گارانتی | 3 سال | 3 سال | 3 سال |
توسط 
توسط 
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید