تا به الان تمام سازندگان دستگاه‌های مختلف، مجبور بوده‌اند از نسخه‌های جایگزین حافظه GDDR6 به عنوان یک چاره موقتی استفاده کنند، در حالی که مدت‌هاست منتظر هستند GDDR7 با یک جهش نسلی واقعی در پهنای باند از راه برسد. در این بین سامسونگ یک قطعه پازل مهم را در برنامه‌های خود برای انجام این وظیفه فاش کرده است. سامسونگ اخیرا تایید کرده است که حافظه رم GDDR7 از سیگنالینگ PAM-3 (مدولاسیون دامنه پالس 3 سطح) استفاده می‌کند. این به کارت‌های گرافیکی نسل بعد کمک می‌کند تا نرخ داده‌های GDDR6 را تا دو برابر افزایش دهند.
حافظه‌های رم معمولی GDDR6 – موجود در سری جدید Radeon RX 7000 AMD – از سیگنال NRZ (بدون بازگشت به صفر) برای دستیابی به نرخ داده بین 14 تا 24 گیگابیت بر ثانیه استفاده می‌کنند. این فرآیند می‌تواند سیگنال‌هایی را با مقادیر 0 یا 1 برای 1 بیت در هر چرخه حمل کند. اما پردازنده‌های گرافیکی جدیدتر، مانند سری RTX 4000 انویدیا، به GDDR6X منتقل شدند، که کمی سریع‌تر با سرعت 18 تا 23 گیگابیت بر ثانیه است. آنها این کار را با استفاده از PAM-4 انجام می‌دهند که می‌تواند به 2 بیت در هر چرخه با مقادیر 0، 1، 2 یا 3 برسد.
استفاده از PAM-3 راه حل سامسونگ برای عبور از محدودیت‌ها
سامسونگ تایید کرده که حافظه رم GDDR7 را در کنفرانس روز فناوری خود در ماه اکتبر معرفی کرده به سرعت 36 گیگابیت بر ثانیه خواهد رسید، اما اخیراً فاش کرد که با سیگنالینگ PAM-3 که تعادلی بین NRZ و PAM-4 ایجاد می‌کند، به این هدف خواهد رسید.
من در این یکی شرکت نمی‌کنم، اما اینجا یک اسلاید جذاب است. سامسونگ تأیید می‌کند که GDDR7 از سیگنال PAM3 استفاده می‌کند.
NRZ 0 یا 1: 1 بیت / چرخه است.
PAM3 -1، 0، 1: 3 بیت/2 سیکلی است
PAM4 0، 1، 2، 3. 2 بیت/1 سیکل است80G Thunderbolt از PAM3 نیز استفاده خواهد کرد.
— 𝐷’. 𝐼” 𝐶”””’ (@IanCutress) December 4, 2022
PAM-3 حداقل 25 درصد سریع‌تر از NRZ
PAM-3 از مقادیر -1، 0 و 1 برای دستیابی به 3 بیت در هر دو چرخه یا 1.5 بیت در هر چرخه استفاده می‌کند. این خود به تنهایی 25 درصد نسبت به NRZ با پهنای باند بالاتر از نظر انرژی کارآمدتر است، اما نسبت به PAM-4 نیاز به تجهیزات کمتری دارد که باعث ارزان‌تر شدن آن می‌شود. کابل‌های Thunderbolt 5 اینتل همچنین از سیگنال‌دهی PAM-3 برای ارائه پهنای باند 80 گیگابیت بر ثانیه استفاده می‌کنند که دو برابر Thunderbolt 4 است.
سامسونگ همچنین اخیراً یک جایگزین دیگر GDDR6 با نام GDDR6W را به عنوان رقیب حافظه HBM2 معرفی کرد. این شرکت HBM2 را به عنوان جانشین احتمالی GDDR6 با پهنای باند بیشتر و سرعت بالاتر معرفی کرد، اما پیاده‌سازی آن در کارت‌های گرافیک سری Vega AMD ناموفق بود و باعث بازگشت AMD به همان GDDR6 سابق شد. پهنای باند GDDR6W بسیار برتر از GDDR6 و مشابه HBM2 است. علاوه بر این، می‌تواند از فرآیندهای تولیدی مشابه محصولات GDDR6 پشتیبانی کند. البته در اعلامیه‌های سامسونگ هیچ اشاره‌ای به زمان عرضه GDDR7 نشده است، اما AMD و انویدیا می‌‌توانند فعلا GDDR6W را برای سری بعدی کارت‌های گرافیک خود قبل از انتقال به GDDR7 انتخاب کنند.
همچنین اسلاید ارائه شده توسط سامسونگ که PAM-3 را برای GDDR7 نشان می‌دهد، به سایر فناوری های جدید DRAM مانند T-Coul و Multiplexed Rank DIMM (MRDIMM) اشاره می‌کند. T-Coil می‌تواند به طور قابل توجهی سرعت IO را افزایش دهد، در حالی که MRDIMM می‌تواند ظرفیت را دو برابر کند. به وضوح مشخص است که سامسونگ در تلاش برای ایجاد یک تحول در صنعت حافظه‌ها است.
مطالب مرتبط:
توسط 
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید