در مراسم ویژه ای که روز گذشته با عنوان Solid-State Circuits Conference یا ISSCC در شهر سانفرانسیسکو برگزار شد، سامسونگ از یک ویفر سیلیکونی 300 میلی متری پرده برداشت که با فرآیند ساخت 10 نانومتری تولید شده است. سازنده کره ای اعلام نموده که نخستین چیپ ست های تولید شده با این فرآیند پیش از پایان سال 2016 از راه می رسند و زمانی در سال 2017 نخستین دستگاه های بهره مند از آن را خواهیم دید.
سامسونگ به مانند گذشته فناوری ترانزیستورهای چند دروازه ای را که به FinFET شناخته می شوند وارد خط تولید تازه می کند. پیشتر این فناوری را در تولید چیپ ست Exynos 7420 هم دیده ایم؛ نخستین چیپ ستی که با فرآیند 14 نانومتری تولید شده و به گوشی گلکسی S6/S6 Edge جان می بخشد. با یک حساب سر انگشتی انتظار داریم که اپل در ساخت SoC آیفون 2017 خود نیز از خط تولید 10 نانومتری بهره مند شود. صحبت از پل شد؛ شرکت تایوانی TSMC که نزدیک ترین رقیب سامسونگ (دستکم برای تولید چیپ ست های سری AX) محسوب می شود، ماه آینده مراحل تست خط تولید 10 نانومتری خود را آغاز می کند و حوالی همان زمان هم خط تولید 16 نانومتری را به راه می اندازد.
توسط 
توسط 
توسط 
10 نانومتری محشره
وای چه تکنولوژی پیشرفته ایی میخواد
ویفر سیلیکونی که ما نمیتونیم تولید کنیم
اما بگم پایه و اساس الکترونیکه
خوبی آیفون این هست که هر چند وقت یک مدل گوشی تولید میکنه آدم تکلیفش معلوم هست ولی بقیه سازنده ها این قدر مدل دارن که نمیفهمی چی به چی هست!!!!
مربوط به خط تولید ویفر چیپ ست هست دوست عزیز.
اون عکسی که گذاشتین مال چیه؟