سامسونگ نخستین چیپ ست های 10 نانومتری را تا پایان 2016 وارد بازار می کند

در مراسم ویژه ای که روز گذشته با عنوان Solid-State Circuits Conference یا ISSCC در شهر سانفرانسیسکو برگزار شد، سامسونگ از یک ویفر سیلیکونی 300 میلی متری پرده برداشت که با فرآیند ساخت 10 نانومتری تولید شده است. سازنده کره ای اعلام نموده که نخستین چیپ ست های تولید شده با این فرآیند پیش از پایان سال 2016 از راه می رسند و زمانی در سال 2017 نخستین دستگاه های بهره مند از آن را خواهیم دید.

سامسونگ به مانند گذشته فناوری ترانزیستورهای چند دروازه ای را که به FinFET شناخته می شوند وارد خط تولید تازه می کند. پیشتر این فناوری را در تولید چیپ ست Exynos 7420 هم دیده ایم؛ نخستین چیپ ستی که با فرآیند 14 نانومتری تولید شده و به گوشی گلکسی S6/S6 Edge جان می بخشد. با یک حساب سر انگشتی انتظار داریم که اپل در ساخت SoC آیفون 2017 خود نیز از خط تولید 10 نانومتری بهره مند شود. صحبت از پل شد؛ شرکت تایوانی TSMC که نزدیک ترین رقیب سامسونگ (دستکم برای تولید چیپ ست های سری AX) محسوب می شود، ماه آینده مراحل تست خط تولید 10 نانومتری خود را آغاز می کند و حوالی همان زمان هم خط تولید 16 نانومتری را به راه می اندازد.