شرکت سامسونگ در جدیدترین گزارش درآمد خود، بهروزرسانی مجموعهای از مراکز داده خود را ارائه داد و تأیید کرد که نسل بعدی HBM3E، DDR5 و V-NAND آنها در سه ماهه دوم سال جاری میلادی به بازار عرضه خواهد شد.
این کمپانی گزارش داد که شاهد رشد بیسابقهای در حوزه هوش مصنوعی بوده و با چندین خط تولید جدید در این بخش پیش خواهد رفت. اول از همه باید گفت که، شرکت سامسونگ تولید انبوه حافظه HBM3E Shinebolt خود را آغاز کرده است، که برای اولین بار در 8-Hi، طی این ماه عرضه میشود و پس از آن در سه ماهه دوم نسخه 12-Hi را روانه بازار خواهد کرد. لازم به ذکر است که حافظه نسل بعدی تا 36 گیگابایت ظرفیت برای هر پشته ارائه خواهد داد که باعث تولید محصولاتی با حداکثر 288 گیگابایت بر روی یک تراشه 8 ماژولی مانند MI300X شرکت AMD خواهد شد.
سامسونگ الکترونیک تولید انبوه حافظه HBM3E هشت لایهای را در ماه آپریل آغاز کرد تا به تقاضای هوش مصنوعی مولد پاسخ دهد، به علاوه قصد دارد محصولات 12 لایهای خود را در سه ماهه دوم سال جاری میلادی به تولید انبوه برساند.
علاوه بر این، ما قصد داریم از طریق تولید انبوه و ارسال محصولات 128 گیگابایتی بر پایه DDR5 با حجم 32 گیگابیتی (1 بیلیون نانو)، رهبری خود را در بازار سرور تقویت کنیم
تولید کننده حافظه NAND قصد دارد با توسعه یک SSD با ظرفیت فوقالعاده 64 ترابایتی و ارائه نمونهها در سه ماهه دوم سال جاری میلادی، به موقع به تقاضا موجود برای هوش مصنوعی پاسخ دهد. همچنین این شرکت میخواهد با شروع تولید انبوه فناوری V9 برای اولین بار در صنعت، رهبری خود را در این فناوری ارتقا دهد.
سامسونگ (ترجمه ماشینی)
طبق گزارشها، شرکت AMD قراردادی را با Samsung Foundry امضا کرده است که بر اساس آن حافظه DRAM HBM3E سامسونگ را برای استفاده در محصولات موجود و نسل بعدی خود مانند پردازندههای گرافیکی MI350/MI370 بهروزرسانی شده که گفته میشود دارای ظرفیت حافظه افزایش یافته هستند، به کار خواهد برد.
در رابطه با DRAM DDR5، شرکت سامسونگ ماژولهای حافظه 32 گیگابیتی خود را با تولید انبوه در سه ماهه دوم سال 2024 به بازار عرضه خواهد کرد. این ICهای حافظه برای توسعه ماژولهای 128 گیگابایتی استفاده خواهند شد. گفتنیست که کمپانی سامسونگ قبلاً اولین نمونه از محصولات نسل بعدی DDR5 خود را برای مشتریان ارسال کرده است.
در نهایت باید اضافه کرد که، شرکت سامسونگ در حال بهروزرسانی در زمینه فناوری حافظهی SSD V-NAND است که منجر به معرفی SSDهای مرکز داده با ظرفیت 64 ترابایت خواهد شد. این SSDها در سه ماهه دوم سال 2024 برای مشتریان نمونه برداری خواهند شد. به علاوه این شرکت همچنین انتظار دارد تولید انبوه نسل نهم V-NAND خود را در سه ماهه سوم سال جاری میلادی آغاز کند. درایوهای SSD نسل نهم V-NAND بر اساس طراحی QLC (چهار سطح سلولی) خواهند بود. گزارشها حاکی از آن است که TLC V-NAND (نسل نهم) این ماه تولید خود را آغاز خواهد کرد که سرعت انتقال 33 درصد سریعتر با نرخ 3200 MT/s را ارائه خواهد داد. لازم به ذکر است که این SSDها از آخرین استاندارد PCIe Gen5 بهره میبرند.
مطالب مرتبط:
توسط 
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید