اخیرا اخبار خوشایندی در رابطه با تکنولوژی ساخت چیپست نسل جدید و تراشه های 3 نانومتری TSMC گزارش شده است. فناوری جدید که N3e نامیده میشود در واقع نسخهای ارتقا یافته و باز تعریف شده از تکنولوژی 3 نانومتری این کمپانی است و انتظار میرود که ابعاد برخی ترانزیستورهای تراشه را تا 3 نانومتر کاهش دهد. این گزارش جدید توسط مورگان استنلی منتشر شده و در آن یافتههای تحقیقاتی جدیدی با عنوان “بازده تولید N3e فراتر از انتظار بوده” ارائه شده است.
- کوالکام سفارشات تولید پردازنده اسنپدراگون 8 نسل 1 را به TSMC منتقل کرد
- پرداخت 10 میلیارد دلار از سوی انویدیا برای رزرو ظرفیت تولید TSMC
بخشی از این گزارش توسط یک کاربر توییتر منتشر شده و به طور خلاصه به نقل از مورگان اسنتلی بیان شده که با بررسی های صورت گرفته توسط این مؤسسه مالی، TSMC احتمالا تا پایان ماه مارس میلادی پارامترهای طراحی خود برای نودهای سه نانومتری N3E را پایان میدهد. عملکرد زمانی TSMC در این گزارش نسبت به قبل بهبود یافته و نشان از افزایش ظرفیت تولید و تکمیل فرآیندههای تحقیقاتی و تکنولوژیهای ساخت این شرکت در ارتباط با چیپهای 3 نانومتری میدهد.
مورگان استنلی باور دارد TSMC ساخت تراشههای 3 نانومتری را سه ماه زودتر آغاز خواهد کرد
اگر این گزارش درست باشد و شرکت تایوانی بتواند مراحل خط تولید و تحقیقاتی خود را نهایی کند، احتمال میرود که از ابتدای آوریل 2023 تولید چیپستهای 3 نانومتری توسط این شرکت آغاز شود.
بخشی از گزارش بانک مورگان استنلی که توسط یک کاربر توییتر در ارتباط با تراشه 3 نانومتری TSMC منتشر شده است را در ادامه میتوانید مطالعه کنید:
“بازده تولید نودهای N3e بهبودیافته و برنامهریزیها در حال عملیاتی شدن است. بررسی های اخیر ما از فروشندگان تجهیزات نشان میدهد که TSMC به تکمیل فرآیندهای مربوطه برای ساخت چیپستهای 3 نانومتری نزدیک شده است و احتمال میرود تا پایان ماه جاری میلادی کامل شود. این به معنای آغاز تولید چیپستهای 3 نانومتری در سه ماهه دوم سال 2023 میلادی است و تقریباً سه ماه از برنامهریزی ابتدایی TSMC زودتر است. بازده تولید آزمایشی نودهای N3e بسیار بیشتر از N3b است. بررسیهای ما نشان میدهد تراکم مدارهای منطقی نودهای N3e تنها 8 درصد از نسخهی ارجینال N3 کمتر است و این کاهش به لطف برش چهار لایه اشعه ماوراء بنفش EUV بوده است. با این وجود N3e شصت درصد از نودهای 5 نانومتری تراکم و چگالی بیشتری دارد. نودهای N3e از لحاظ هزینه و زمانبندی برای تراشه ساز تایوانی مناسب عمل میکند و آن را به یک انتخاب رقابتی تبدیل خواهد کرد.”
اخبار مورگان اسنتلی پس از آن منتشر شد که منابع مطبوعاتی در تایوان از احتمال به مشکل برخوردن TSMC در رابطه با بازده تولیدی تراشههای سه نانومتری خبر دادند. در صنعت تولید نیمههادی و تراشه، (yield of a process) یا بازده فرآیند تولید، به تعداد چیپستهایی گفته میشود که از مراحل مربوط به کنترل کیفیت بر روی یک ویفر عبور کنند و طبیعتاً درصد بالاتر در این مراحل نشان از موفقیت کمپانی در فرآیند تولید و تکنولوژی ساخت است.
کارخانههای تولیدی مانند TSMC تایوان یکی از بهترین شرکتها در این زمینه است و موفقیتهای بالایی را در این مراحل، عمدتاً به ثبت رسانده است. TSMC دلیل این کار را عمیق تر کردن رابطهی شرکت با مشتری و ارتقای کیفیت محصولات تولیدی خود میداند.
ارقام TSMC برای نودهای N3 در سال گذشته به صورت رسمی به اشتراک گذاشته شد و در آن این شرکت عنوان کرد که فرآیند مربوطه برای نودهای 3 نانومتری 70 درصد تراکم بیشتری نسبت به 5 نانومتری دارا است. ارقام جدید منتشر شده توسط مورگان استنلی نیز به همین آمار رسمی TSMC نزدیک است.
مدیر اجرایی TSMC بیان کرد که نودهای N3E ویژگیهای بهبودیافتهای از قبیل زمانبندی و ارتقای فرآیند تولید، پرفورمنس بهتر و مصرف انرژی بهینه تر را در دسترس قرار خواهند داد. TSMC با شرکت مشهور اینتل در زمینهی تکنولوژی های جدید ساخت تراشه در حال رقابت است و هر دو شرکت برای دستیابی به تکنولوژی های بهتر در زمینه کاهش اندازهی ترانزیستورها در چیپ و افزایش تولید و بهرهوری قطعات تلاش میکنند.
Samsung Foundry که بخش تولید تراشه شرکت کرهای است نیز یکی دیگر از فعالان مهم این بازار است و ظاهرا در حال انجام تحقیقات داخلی برای کلاهبرداریهای احتمالی در بخش بازده فرآیند تولید خود است.
توسط 
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید