تولید چیپست های اسنپ دراگون 820 با استفاده از نسل دوم فرآیند 14 نانومتری FinFET

روز گذشته سامسونگ در بیانیه ای خبری اعلام کرد که تولید انبوه چیپ های جدید با استفاده از نسل دوم فرآیند 14 نانومتری FinFET را آغاز کرده است. البته این تنها نکته قابل ذکر در این بیانیه نبوده و در ادامه آمده است که چیپ های اسنپ دراگون 820 کمپانی کوالکام با استفاده از این تکنولوژی توسط سامسونگ ساخته خواهند شد.

آن طور که PhoneArena گزارش می دهد، چنین تصمیمی به معنی وجود ویژگی LLP یا Low Power Plus در چیپست های اسنپ دراگون 820 خواهد بود. به کمک این ویژگی این قطعات می توانند در سرعت هایی تا 15 درصد بیشتر از نسل اول فرآیند 14 نانومتری Fin-FET کار کرده و در عین حال 15 درصد انرژی کمتری مصرف کنند. همچنین مشخص است که سامسونگ برای تولید چیپست های Exynos 8890 نیز که قرار است در محصولاتی نظیر گلکسی اس 7 به کار گرفته شود از همین تکنولوژی استفاده خواهد کرد. سامسونگ قصد دارد با به کار گیری این روش، جایگاه خود را در بین تولیدکنندگان تراشه ها در جهان مستحکم تر کند. پیش از این از نسل اول فرآیند 14 نانومتری Fin-FET در تولید چیپست های A9 اپل استفاده شده بود و بعدتر همین روش برای ساخت Exynos 7420 به کار رفته که نتیجه آن، استفاده دستگاه هایی از جمله Galaxy S6، S6 Edge، S6 Edge Plus و Galaxy Note 5 از این چیپست ها بود.