در کنفرانس ISS 2013 که هفته پیش برگزار شد، کمپانی اینتل از اولین ویفر 450 میلیمتری پردازنده که آماده برش و استفاده هستند پرده برداری کرد. قطر این ویفر 450 میلیمتر بوده و در رقابتی که بین اینتل، TSMC، GlobalFoundries و سامسونگ برقرار بود، اینتل توانست به عنوان اولین کمپانی به این قابلیت دست یابد. گفته میشود که در ساخت این ویفر از فناوری لیتوگرافی Jet And Flash (چاپ در ابعاد ملوکولی) بهره گرفته شده و فاصله میان هر چیپست پردازنده روی ویفر با یکدیگر در حدود 2 نانومتر است. اینتل اعلام کرده که در سال 2015 استفاده از این سیستم را آغاز خواهد کرد و به تولید پردازنده، SoC و دیگر چیپ ها بر اساس این سیستم خواهد پرداخت.
مطالب گوناگون از دینو
شکلک‌ها (اموجی‌ها) را می‌توانید با کیبرد گوشی یا کیبرد مجازی ویندوز قرار دهید.
تصاویر نویسندگان دیدگاه از Gravatar گرفته میشود.
دیدگاهتان را بنویسید