به نظر می رسد رویکرد شرکت ها در زمینه بهبود طول عمر باتری های مورد استفاده در دستگاه ها و ابزارهای دیجیتال، به جای تمرکز بر بهبود تکنولوژی های ساخت باتری ها، بر بهینه سازی عملکرد پردازنده ها قرار داشته باشد. در سال های اخیر بارها شاهد آن بوده ایم که بهبود عملکرد پردازشی در چیپ های مرکزی باعث شده طول عمر باتری گجت های دیجیتال به مراتب بهبود یافته است. در همین راستا کمپانی IBM در همکاری مشترکی با سامسونگ و Global Foundries (تولید کننده چیپ برای شرکت هایی مانند کوالکام و AMD) روشی را برای ساخت چیپ های 5 نانومتری معرفی کرده است که خبر آن در روزهای گذشته منتشر شد. اخیرا جزئیات فنی بیشتری از این فرآیند در اختیار رسانه ها قرار گرفته است.
این چیپ های 5 نانومتری از ترانزیستورهایی با نام تجاری GAAFET (که حروف اولیه آن خلاصه عبارت gate-all-around) هستند استفاده می کنند. در این تکنولوژی گیت ها در اطراف صفحات نانو از سیلیکون های افقی سه گانه پیچیده شده اند. این در حالیست که چیپ های فعلی که با استفاده از FinFET ساخته می شوند دارای طراحی عمودی تیغه ای می باشند. به گفته IBM، با وجود اینکه تکنولوژی FinFET نیز می تواند تا ابعاد 5 نانومتری مورد استفاده قرار گیرد اما به دلیل محدودیت شارش جریان در این طراحی عملا استفاده از آن بهینه نخواهد بود. در نتیجه طراحی جدید gate-all-around دارای سادگی بیشتری بوده و حتی ممکن است بتوان برای ساخت چیپ های 3 نانومتری هم از این تکنیک استفاده کرد.
چیپ هایی که با استفاده از این تکنولوژی ساخته می شوند دارای عملکرد 40 درصد بهینه تر نسبت به چیپ های 10 نانومتری فعلی خواهند بود و در عین حال مصرف انرژی آنها نیز افزایش نخواهد یافت. علاوه بر این، توانایی ذخیره انرژی نیز به کمک این چیپ ها به میزان 75 درصد افزایش می یابد که خبر بسیاری خوبی برای تولید کنندگان گجت های دیجیتال و البته کاربران خواهد بود. به گفته IBM، لیتوگرافی EUV (Extreme Ultraviolet) مورد استفاده در این روش این امکان را فراهم خواهد کرد تا عرض صفحات نانو دقیقا در یک طراحی چیپ تنظیم شوند و به این ترتیب مدارها برای عملکرد بهتر در زمینه مصرف انرژی و پردازش توانایی بیشتری خواهند داشت.
دو سال قبل نیز IBM در همکاری مشترک با سامسونگ از فرآیند 7 نانومتری جدیدی رونمایی کرده بود که به نظر می رسد اولین دستگاه های مجهز به این چیپ ها از سال آینده میلادی روانه بازار شوند.
:-bd:-bd