به تازگی خبرهای جدید مبنی بر این به گوش میرسد که شرکت سامسونگ قصد دارد صنعت فلش NAND را به سطح جدیدی برساند، زیرا این شرکت محصولات نسل نهم و دهم V-NAND خود را معرفی کرده است. گفتنیست نسل نهم V-NAND با 290 لایه ماه بعد به بازار عرضه میشود، از سوی دیگر نسل دهم آن با پشتیبانی از 430 لایه احتمالا سال آینده منتشر خواهد شد.
گذر از چالشهای بازار و شکوفایی فناوری: نسل نهم و دهم V-NAND شرکت سامسونگ
به نظر میرسد بازارهای فلش NAND به سرعت توانست وضعیت اقتصادی وخیم خود را در سه ماهه گذشته که به دلیل کاهش تقاضای مصرف کننده و سطح بالای موجودی اتفاق افتاده بود، بهبود بخشد. با این حال، پس از گذراندن دورهای از چالشها و مشکلات، فاز جدیدی از نوآوری در بازار فلش NAND آغاز شده است و کمپانی سامسونگ به عنوان شرکت پیشرو یک نوع NAND نسبتاً رده بالا به نام فلش نسل نهم V-NAND را معرفی کرده است. این مدل جدید دارای 290 لایه است که روی هم چیده شدهاند و بنچمارک جدیدی را برای بازارها ایجاد خواهند کرد.
همانطور که گفته شد رسانههای کرهای گزارش میدهند که کمپانی سامسونگ قصد دارد تا ماه آینده استاندارد نسل نهم NAND خود را به بازار عرضه کند که احتمالاً جایگزین نسل قبلی خواهد شد. به عنوان یادآوری باید گفت که نسل قبلی از 236 لایه پشتیبانی میکند. به نظر میرسد که این صنعت به احتمال زیاد به مسابقه انباشته شدن لایهها کشیده شده است و در این مسیر شرکت سامسونگ بسیار جلوتر از رقبایی مانند کمپانیهای SK Hynix و Kioxia قرار دارد. نکته جالبتر اینجاست که غول کرهای همچنین یک محصول NAND را با انباشته شدن 430 لایه (10th Gen V-NAND) معرفی کرد که انتظار میرود سال آینده به بازار عرضه شود.
آشنایی با تکنیک Double Stacking
یکی دیگر از جنبههای هیجانانگیز جدیدترین فرآیند NAND نسل نهم شرکت سامسونگ، تکنیک Double Stacking است که بر فشردن لایههای بیشتر از طریق سوراخهای کانال متعدد تمرکز دارد. این تکنیک از الکتریسیته برای اتصال سلولهای فردی استفاده میکند. روش حفاری نه تنها بازده اتصال بالاتر را تضمین میکند، بلکه این فرآیند را در مقایسه با روشهای سنتی انباشته کردن بسیار مقرونبهصرفهتر خواهد کرد.
لازم به ذکر است که استفاده از فلش NAND در چند ماه گذشته به شدت افزایش یافته است، و دلیل آن عمدتاً استفاده از محصولات درگیر در استنتاج هوش مصنوعی بوده زیرا آنها به ذخیره سازی با سرعت بالا نیاز دارند. در نهایت، این امر باعث شده است تا تقاضا برای این محصولات به شدت افزایش یابد، به علاوه این افزایش تقاضا به عنوان یک عامل تحریککننده برای پیشرفت و توسعه بیشتر در حوزه فلش NAND برای تولیدکنندگان مانند Samsung عمل خواهد کرد.
مطالب مرتبط:
- اسنپدراگون 8 نسل 3 برای گلکسیهای سامسونگ پردازنده گرافیکی 1 گیگاهرتزی خواهد داشت
- سامسونگ 8 میلیارد دلار دیگر سرمایه در چین تزریق کرد: کاهش قیمت NAND ادامه دارد
- تماشا کنید: بررسی گوشی گلکسی A54 سامسونگ – بهترین در کلاس 15 میلیونیها؟
- سامسونگ از دو فناوری نسل بعدی حافظه HBM3E و GDDR7 رونمایی کرد، تحولی برای آینده
توسط 
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید