در سال 2026، سامسونگ آماده آغاز تولید انبوه نسل جدید حافظههای خود شامل HBM4، حافظههای DRAM از نوع GDDR7 با ظرفیت 24 گیگابیت و ماژولهای DDR5 با ظرفیت بیش از 128 گیگابایت است.
جهش بزرگ سامسونگ در تولید حافظههای نسل بعد و فناوری 2 نانومتری GAA در سال 2026
سامسونگ در گزارش مالی سهماهه سوم سال 2025 از رشد 15.4 درصدی درآمد نسبت به سهماهه گذشته خبر داد. این شرکت فناوری کرهای با ثبت درآمدی معادل 86.1 تریلیون وون، به رکوردی تازه در فروش فصلی بخش حافظه دست یافت؛ رشدی که عمدتاً ناشی از تقاضای بالا برای حافظههای HBM3E و SSDهای مخصوص سرور به لطف گسترش روزافزون کاربردهای هوش مصنوعی بوده است.
چندی پیش، سامسونگ برای نخستینبار راهکار حافظه نسل بعد HBM4 خود را به نمایش گذاشت. این حافظه با سرعتی تا 11 گیگابیت بر ثانیه برای هر تراشه، یکی از گزینههای اصلی برای شتابدهندههای هوش مصنوعی نسل آینده از جمله سری Rubin انویدیا و MI400 شرکت AMD خواهد بود. انتظار میرود سامسونگ نمونههای اولیه این حافظهها را برای ارزیابی و آزمونهای کیفی در اختیار تولیدکنندگان تراشههای هوش مصنوعی قرار داده باشد.
تمرکز بر تولید پایدار با فناوری 2 نانومتری GAA و پایه HBM4
علاوه بر این، سامسونگ قصد دارد در سال 2026 تولید پایدار تراشههای مبتنی بر فناوری 2 نانومتری GAA (Gate-All-Around) و پایههای حافظه HBM4 را تضمین کند. انتظار میرود این فرآیند 2 نانومتری در تولید نسل جدید تراشههای Exynos و Snapdragon بهکار گرفته شود و تولید آزمایشی آن از همین فصل آغاز گردد.
در سهماهه پایانی سال 2025، این شرکت قصد دارد با استفاده از حافظههای HBM3E، SSDهای با چگالی بالا و سایر محصولات پیشرفته، به نیاز روزافزون سرورها و برنامههای هوش مصنوعی پاسخ دهد. همچنین فروش حافظههای سروری با ارزش افزوده بالا مانند DDR5 با ظرفیت 128 گیگابایت و بالاتر و همچنین GDDR7 با ظرفیت 24 گیگابیت را گسترش خواهد داد.
تولید انبوه HBM4 و تمرکز بر گسترش بازار حافظههای پیشرفته در 2026
در سال 2026، تمرکز اصلی سامسونگ بر تولید انبوه حافظههای HBM4 با عملکرد متمایز خواهد بود؛ در حالیکه همزمان برای افزایش گستره فروش این محصولات نیز برنامهریزی میکند. انتظار میرود تقاضا برای HBM4 در این سال رشد قابل توجهی داشته باشد؛ به همین دلیل سامسونگ در فاز تولید 1c ظرفیت خود را افزایش میدهد تا پاسخگوی نیاز بازار باشد. این شرکت همچنین قصد دارد فروش سایر محصولات با ارزش افزوده بالا نظیر DDR5، LPDDR5x و SSDهای QLC با چگالی بالا را برای پاسخ به تقاضای فزاینده کاربردهای هوش مصنوعی گسترش دهد.
برنامههای بخش فاندری سامسونگ برای 2026
در سهماهه پایانی 2025، سامسونگ با افزایش تولید انبوه محصولات مبتنی بر فناوری 2 نانومتری GAA، افزایش بهرهوری کارخانهها و بهینهسازی هزینهها به دنبال بهبود سوددهی خواهد بود. در سال 2026، بخش فاندری سامسونگ بر تأمین پایدار محصولات جدید 2 نانومتری GAA و پایههای حافظه HBM4 تمرکز خواهد داشت و همزمان فعالیت کارخانه جدید خود در تیلور ایالت تگزاس را طبق برنامه آغاز میکند.
نقش کلیدی DDR5 و GDDR7 در برنامههای حافظه سامسونگ
سامسونگ همچنین اشاره کرد که حافظههای DDR5 با ظرفیت بیش از 128 گیگابایت و DRAMهای GDDR7 با ظرفیت 24 گیگابیت نقشی اساسی در استراتژی این شرکت طی سال 2026 خواهند داشت. انتظار میرود پلتفرمهای سروری جدید از ایامدی و اینتل در نیمه دوم 2026 عرضه شوند؛ بنابراین، بازار حافظه در این بازه بسیار پرتحرک خواهد بود.
در همین حال، GDDR7 محبوبیت خود را در میان کاربران حرفهای و کارتهای گرافیک هوش مصنوعی حفظ خواهد کرد. تراشه گرافیکی جدید Rubin CPX از انویدیا یکی از نامزدهای استفاده از این نوع حافظه است؛ در حالیکه محصولات گرافیکی دیگر مانند سری RTX 50 SUPER انویدیا و نسخههای تازه از معماریهای RDNA 5 یا RDNA 4 ایامدی نیز احتمالاً از GDDR7 بهره خواهند برد. تراشههای DRAM با ظرفیت 24 گیگابیت علاوه بر افزایش حافظه VRAM، کمبود ظرفیت در بخش میانرده بازار را نیز جبران خواهند کرد.
نگرانی از افزایش قیمت حافظهها به دلیل تمرکز بازار بر هوش مصنوعی
در حال حاضر، تمرکز عرضه حافظههای DRAM و SSD بر بازار هوش مصنوعی سبب افزایش شدید قیمت محصولات مصرفی شده است. قیمت حافظههای DDR5 و SSD اخیراً رشد قابل توجهی داشته و کمبود آنها در بازار مشاهده میشود. تمامی تولیدکنندگان بزرگ DRAM افزایش قیمت حافظههای DDR5 و DDR4 را اعلام کردهاند؛ بنابراین، باید دید بازار در ماههای آینده چه روندی را در پیش میگیرد.
توسط 
توسط 
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید