شرکت TSMC اعلام کرد که تولید انبوه فرایند 2 نانومتری را در کارخانه Fab 22 آغاز کرده؛ این کارخانه در شهر جنوبی کائوسیونگ تایوان قرار دارد. این مجموعه نخستین کارخانه TSMC در این بخش جنوبی تایوان محسوب می‌شود و فاز اول از حداکثر 5 فاز برنامه‌ریزی‌شده در این موقعیت به‌شمار می‌آید. در Fab 22 از ویفرهای 300 میلی‌متری و فناوری ترانزیستور نانوصفحه‌ای نسل اول TSMC روی نود N2 استفاده می‌شود.
این شرکت پیش‌تر اعلام کرده بود که نود N2 از نظر بهبود عملکرد و مصرف انرژی یک جهش کامل نودی ارائه می‌دهد؛ با این حال مقایسه انجام‌شده میان نود N2 و نود N3E نسل دوم صورت گرفته و نه نود N3 اولیه که نشان می‌دهد نود N2 برای TSMC اندکی فراتر از یک بهبود کامل نودی متعارف قرار می‌گیرد.
همچنین بر اساس گزارش‌های منتشر شده، غول تراشه‌سازی تایوانی قصد دارد تولید تراشه های 3 نانومتری خود را تقریباً یک سال زودتر از موعد مقرر در تاسیسات واقع در خاک آمریکا آغاز کند تا با این کار مانع از پیشروی رقبا شود.
قابلیت‌های فنی جدید در نود N2
نود N2 همچنین شامل چند افزوده فنی جدید می‌شود که TSMC معتقد است موجب افزایش بیشتر عملکرد خواهند شد؛ از جمله لایه توزیع مجدد با مقاومت پایین یا RDL و خازن‌های metal-insulator-metal یا MiM با کارایی فوق‌العاده بالا. میزان اثرگذاری این پیشرفت‌ها در محصولات واقعی زمانی مشخص خواهد شد که نخستین مشتریان، تراشه‌های مبتنی بر نود N2 را روانه بازار کنند.
بهبود عملکرد و مصرف انرژی
بر اساس اعلام TSMC، نود N2 در مقایسه با نود N3E امکان افزایش 10 تا 15 درصدی عملکرد در سطح مصرف انرژی یکسان یا کاهش 25 تا 30 درصدی مصرف انرژی در سطح عملکرد برابر را فراهم می‌کند؛ علاوه‌بر این، چگالی ترانزیستور نیز حدود 15 درصد افزایش پیدا می‌کند.
توسط 
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید