پیشرفت در صنعت حافظه های ذخیره سازی نیمه هادی به سرعت ادامه دارد؛ طی آخرین اخبار، شرکت کره ای SK Hynix به عنوان نخستین برند، اولین تراشه های حافظه ی 4D NAND را معرفی کرد. تراشه های NAND جدید دارای حداکثر 96 لایه بوده و هر یک به 512 گیگابیت بر اساس گونه Charge Trap Flash به اختصار (CTF) دست خواهند یافت. این تراشه ها یک دروازه جدید در دنیای درایوهای SSD هستند.
هر چند که عمر زیادی از عرضه حافظه های 3D NAND نظیر TLCها نمی گذرد، اما این یک پیشرفت جدید است که می تواند ابعاد درایو و تراشه ها را کاهش داده اما ظرفیت را در عین کنترل توان بالا ببرد. SK Hynix اعلام کرده است که تراشه های نسل چهارم باعث کاهش ابعاد تراشه تا بیش از 30 درصد شده و این در حالی است که بهره وری ویفر نیز تا 49% به نسبت تراشه های 72 لایه 512 گیگابیتی 3D NAND افزایش یافته است.
افزون بر این موارد، سرعت خواندن و نوشتن نیز به ترتیب 30 درصد و 25 درصد افزایش یافته است. پهنای باند داده 2 برابر شده و سرعت انتقال داده ها (I/O) نیز به 1200 مگابیت در ثانیه افزایش یافته است و این در حالی است که ولتاژ مورد نیاز بر روی 1.2 ولت ست شده است. NANDهای CTF با 96 لایه، از اوایل سال 2019 در بخش های خانگی و سرور مورد استفاده قرار گرفته و هر پکیج برای ظرفیت 1 ترابایت طراحی شده است. این یک انقلاب در طراحی حافظه های SSD است که باز هم به سرعت بالاتر در کنار ظرفیت بیشتر دست خواهند یافت.
دیدگاهتان را بنویسید