شاهد صحبت های سامسونگ از حافظه‌های نسل بعدی DDR6 و GDDR7 برای پلتفرم‌های آینده هستیم که از سرعت‌های خارق العاده‌ای بهره می‌برند. ComputerBase اطلاعاتی را از Samsung Tech Day 2021 منتشر نموده که در آن شاهد نقشه راه آینده و نوآوری‌های مربوط به فناوری حافظه هستیم.
در ابتدا باید اشاره کنیم که خبری از اسلاید یا تصاویر این رویداد نیست، زیرا شرایط و قوانین سامسونگ اجازه چنین چیزی را نمی‌دهد. خوش بختانه اما ComputerBase اطلاعات مختلفی را در اختیارمان قرار داده که می‌توانیم از آنها استفاده کنیم.
- نگاه دقیق تر به بنچمارک های DDR5 با پردازنده های Alder Lake
- DRAM های LPDDR5X سامسونگ تا 1.3 برابر سریع تر از قبل
- معرفی ماژول حافظه HBM3 توسط SK Hynix – سرعت انتقال 6400Mb/S
صحبت های سامسونگ از حافظه‌های DDR6 و GDDR7
همانطور که اطلاع دارید حافظه DDR5 به تازگی در کنار پردازنده‌های نسل دوازدهم Alder Lake S وارد بازار شده اما تا سال 2023 احتمالا شاهد قیمت گذاری مناسبی برای این حافظه نسل جدید نخواهیم بود. براساس تحقیقات MSI این شرکت پیش بینی کرده که انتقال به نسل جدید حافظه رم زمان زیادی در حدود 2 سال طول خواهد کشید.
در همین حال اما سامسونگ آماده است تا درباره جانشین DDR5 صحبت کند که قرار است سرعت و پهنای باند دو برابری را ارائه دهد. استاندارد DDR6 البته هنوز توسط JEDEC نهایی نشده، با این حال مشخصات باید در حدود 12800 مگابیت بر ثانیه در حالت پیش فرض باشد. غول کُره‌ای تایید کرده که این تکنولوژی در فاز اولیه توسعه قرار دارد و اعداد اشاره شده توسط این شرکت می‌توانند تغییر کنند اما ComputerBase گزارش می‌دهد که حافظه‌های اورکلاک شده DDR6 می‌توانند به سرعتی تا 17000 مگابیت بر ثانیه دست یابند.
گفته شده که DDR6 از چهار کانال به ازای هر ماژول (دو برابر در مقایسه با DDR5) بهره می‌برد و تعداد بانک‌های حافظه به 64 عدد افزایش پیدا خواهد کرد که چهار برابر استاندارد DDR4 است.
خوش بختانه اطلاعات بیشتری در زمینه استانداردهای پس از GDDR6 نیز توسط سامسونگ به اشتراک گذاشته شده. ظاهرا این شرکت در حال حاضر مشغول توسعه استاندارد GDDR6+ با سرعتی تا 24 گیگابیت بر ثانیه است. این میزان بالاتر از 18 گیگابیت بر ثانیه حاضر در GDDR6 می‌باشد و به زودی با فناوری ساخت 1z nm شرکت تولید خواهد شد.
به علاوه استاندارد GDDR7 نیز در نقشه راه وجود دارد اما فعلا زمان ارائه آن مشخص نیست. این فناوری پهنای باند حافظه را به 32 گیگابیت بر ثانیه افزایش خواهد داد و از قابلیت محافظت از خطا همزمان مجهز می‌شود اما متأسفانه سامسونگ اطلاعات بیشتری ارائه نکرده است.
ComputerBase همچنین گزارش کرده که سامسونگ تولید انبوه حافظه HBM3 را در فصل دوم سال 2022 آغاز خواهد کرد.
توسط 
توسط 
توسط 
رم های DDR6 عجب هیولایی هستند پس تقریبا تا سال ۲۰۲۵ شاهد دیدنشون در بازارها هستیم واقعا اتفاق عالی و فوق الهاده ای هستش که نمیشه ازش چشم پوشی کرد شما فکر کنید یک پردازنده ۲ نانومتری AMD داشته باشی با همچین حافظه رم بسیار بسیار قدرتمندی چه طوفانی که به پا نخواهد کرد واقعا ستودنی خواهد شد همچین سیستم کامپیوتری ووواااااووووو