جنگ سامسونگ و اینتل با معرفی Z-NAND آغاز شد!

هنوز چند روز از معرفی اولین درایو های Intel Optane با فناوری 3D XPoint نگذشته است که سامسونگ برای مقابله با Micron و Intel آستین بالا زده است. تراشه های NAND موجود از نظر سرعت می توانند نزدیک به Optane ها حرکت نمایند؛ با این وجود مواردی مانند طول عمر و سازگاری با پردازنده وجود دارد که 3D XPoint ها را یک پله بالاتر ازتراشه های NAND قرار می دهد. سامسونگ الکترونیک، بزرگترین غول دیجیتالی جهان برای مقابله با 3D XPoint نوعی تکنولوژی جدید با نام Z-NAND را معرفی کرده است. سامسونگ هم اینک بیشترین نفوذ را در بازار “نیمه هادی” ها دارد و تامین کننده OEM بسیاری از برندها است.

فناوری Z-NAND مابین DRAM و NAND قرار گرفته و یک تکامل آمیخته با طراحی مجدد از تراشه های NAND است. یک کنترلر جدید برای این منظور در نظر گرفته شده است که در حال حاضر اطلاعات چندانی از آن در دست نیست؛ با این وجود می دانیم که این کنترلر زمان تاخیر را 70% کمتر از سریع ترین مدل های NAND موجود در کلاس NVME کرده است. در تصاویر اولیه، حافظه های Z-SSD تولید کمپانی سامسونگ دیده می شوند که در ظرفیت 800 گیگابایت تولید شده اند. این محصولات از استاندارد NVME در اینترفیس PCI Express 3.0 X4 بهره برده و به سرعت 3200 مگابایت در ثانیه دست پیدا خواهند کرد. در حالت دستورات تصادفی بر اساس میزان دستورات ورودی/خروجی در هر ثانیه (4K) نیز ارقام 750K و 160K ثبت شده است. این درایوها به زودی در ظرفیت های 1، 2 و 4 ترابایت نیز راهی بازار خواهند شد. جنگ قدرت و سرعت میان اینتل و سامسونگ آغاز شده است؛ تا پایان سال 2017 منتظر ورود به یک دنیای جدید از ذخیره سازهای دیجیتال باشید!