اخیرا یک سند تصویری که به نظر میرسد اسلایدی در داخل شرکت برای ارائه است از کمپانی TSMC توسط حساب توییتری HS Kuo منتشر شده و در آن نشان داده شده که توسعهی فرآیند ساخت سه نانومتری N3E بسیار بهتر از پیش بینی های اولیه و پیش از موعد مقرر در حال انجام است. در همین راستا به تازگی رسانههای تایوانی اعلام کردهاند که تولیدات 3 نانومتری TSMC قرار است در ماه سپتامبر به تولید انبوه برسد اما باید گفت که از ماه مارس تاکنون اطلاعات زیادی در این زمینه منتشر نشده است.
فناوری ساخت TSMC N3E نسخه پیشرفته N3 است که ابتدا برای تولید انبوه یک سال پس از عرضه N3 زمانبندی شده بود. با این حال اسلاید منتشر شدهی اخیر نشان میدهد که شرکت تایوانی در توسعه این فرآیند ساخت پیشرفت های چشمگیری داشته و حتی جلوتر از برنامه ریزی اولیه خود است.
شرکت تایوانی به دنبال تصویب قانون Chip Act احتمالا در نظر دارد کارخانه های بیشتری در آمریکا بسازد
در این نمودار نشان داده شده که نرخ بازدهی N3E SRAM به طور قابل توجهای بالاتر از N3 است و نزدیک به 80 درصد عنوان شده است. همچنین تست های انجام گرفتهی کمپانی بر روی تراشه های Mobile و HPC نشان از عملکرد مطلوب 80 درصدی دیگر میدهد. در نهایت عملکرد حلقه نوسانگر که در آن اثرات فرآیند تولید، ولتاژ و دمای چیپ اندازهگیری میشود نیز بیش از 92 درصد عنوان شده است.
از ابتدا نیز قرار بود TSMC در فرآیند ساخت سه نانومتری N3E به پیشرفت های قابل توجهای نسبت به نسل قبل دست یابد و اطلاعات جدید در این زمینه باعث تعجب کامل نمیشود. TSMC فناوری ساخت سه نانومتری N3E را با تراکم کمتر ترانزیستور طراحی کرده که طبیعتاً، نرخ بازدهی بهتری را نیز رقم میزند. برخی دیگر از مزایای کلی این فناوری، مصرف انرژی کمتر و سرعت Clock بهتر است.
همچنین اخبار دیگر در این رابطه از رسانه تایوانی Commercial Times حاکی از آن است که احتمالا نظر کلی این کمپانی نسبت به ساخت و تولید تراشه های 3 نانومتری در ایالات متحده تغییر یافته و احتمالا TSMC با تصویب قانون Chip Act به دنبال ساخت کارخانههای پیشرفتهی جدیدی برای تولیدات 3 و 5 نانومتری خود است.
توسط 
توسط 
دیدگاهتان را بنویسید