رم های DDR4 با پهنای باند بیشتر به لطف تراشه های جدید سامسونگ

شرکت کره ای سامسونگ تولید تراشه های 10 نانومتری خود را آغاز کرده است. این شرکت به طور رسمی تولید نیمه هادی های (DRAM) در لیتوگرافی 10 نانومتری را اعلام کرده است. سامسونگ یکی از 3 شرکت بزرگ تولید تراشه های نیمه هادی در جهان است که قطعات OEM بسیاری از کمپانی های دیگر را تامین می کند. این تراشه ها در حافظه های رم، حافظه های VRAM، موبایل و … مورد استفاده قرار خواهند گرفت. از جمله این تراشه ها می توان به (1y-nm) اشاره کرد که یک کلاس جدید برای حافظه های DDR4 است.

در نتیجه کوچکترین تراشه های 8 گیگابیتی رم توسط سامسونگ به زودی راهی بازار می گردد. نسل دوم لیتوگرافی 10-nanometer (nm) FinFET با تکنولوژی 10LPP (Low Power Plus) به تولید خواهند رسید که در زمینه مصرف انرژی بسیار بهبود یافته اند. این فناوری که در تراشه های System-on-Chip (SoC) اعمال می گردد، 10% عملکرد بالاتر را در کنار 15% مصرف انرژی کمتر ارائه می دهند. نسل اول تراشه های 10 نانومتری با نام 10LPE (Low Power Early) شناخته می شوند. S3 سومین کارخانه Foundry Foundry سامسونگ است و کارخانه S2 آن در ایالات متحده قرار دارد. کارخانه ی S3 مسئول تولید تراشه های 7nm FinFET EUV (Extreme Ultra Violet) نیز خواهد بود.

تراشه های 10 نانومتری DDR4 این شرکت دارای پهنای باند 3600 مگابیت در ثانیه هستند که به نسبت مدل های پیشین، 400 مگابیت در ثانیه سریع تر بوده و دارای مصرف انرژی به مراتب کمتری هستند. در نسل دوم تراشه های سامسونگ (Samsung 2nd-generation 10 nm-class DRAM) یک سیستم سنجش داده جدید اعمال شده است که، تعیین دقیق تر داده ها در هر سلول را بهبود می بخشد که باعث افزایش قابل توجهی در سطح ادغام مدار و بهره وری تولید می گردد. سامسونگ به زودی این فناوری را برای تولید حافظه های DRAM دیگر از جمله DDR5, HBM3, LPDDR5 و GDDR6 نیز راه اندازی خواهد کرد.