افزایش سرمایه گذاری سامسونگ در حافظه GDDR7 و توسعه درازمدت V-NAND

سامسونگ به دنبال سرمایه‌گذاری منابع مالی خود در بخش حافظه و به خصوص GDDR7 است و این شرکت جدیداً اذعان کرده که در نظر دارد سرمایه گذاری خود در بخش حافظه‌های رم را در آینده دو برابر کند. این شرکت اخیراً اعلام کرده که سرمایه‌گذاری مالی خود را در فناوری جدید حافظه‌های GDDR7 که در نهایت قرار است در کارت گرافیک‌های آینده و تراشه‌های حافظه SSD V-NAND مورد استفاده قرار گیرد را افزایش خواهد داد.

سامسونگ همچنین برخلاف برخی از شرکت‌های بازار به دنبال کاهش تولیدات خود در این زمینه نیست. سامسونگ همچنین اطمینان دارد که هزینه‌های پیش رو برای ارتقای تکنولوژی ضروری است و در عین حال موقعیت شرکت را نیز در صنعت حافظه تثبیت خواهد کرد.

سامسونگ در همین راستا در بخش حافظه‌های DRAM اعلام کرده که تولید انبوه آخرین نسل محصولات 10 نانومتری خود در سال 2023 آغاز می‌شود و تحقیقات برای تولید DRAM ها با فناوری ساخت پایین‌تر از 10 نانومتر نیز با استفاده از الگوهای جدید و معمای گیت‌های High-K آغاز شده است.

دو برابر کردن سرمایه گذاری در حافظه GDDR7 و عرضه V-NAND با 1000 لایه در 2030

سامسونگ همین حالا هم با تولید تراشه‌های DRAM با فناوری ساخت 10 نانومتری از کمپانی‌های دیگر که این چیپ‌ها را با استفاده از نودهای 14 نانومتری تولید می‌کنند جلوتر است. افزایش سرمایه گذاری سامسونگ در نسل بعدی حافظه‌های GDDR7 که مطمئناً در شتاب دهنده‌های گرافیکی نیز مورد استفاده قرار خواهد گرفت همین حالا هم به نظر می‌رسد در حال انجام است و این تراشه‌ها در مراحل تولید قرار دارند و قرار است سرعتی معادل 36 گیگابیت در ثانیه را ارائه دهند که نزدیک به دو برابر سرعت 18Gbps رم‌های GDDR6 است.

با این سرعت، یک گذرگاه حافظه 384 بیتی می‌تواند پهنای باندی معادل 1.7 ترابایت را ارائه دهد که ارتقای محسوسی نسبت به کارت گرافیک کنونی RTX 4090 با پهنای باند 1 ترابایت است. در مورد تراشه‌های NAND جایی که سامسونگ به عنوان شرکت پیشرو بازار در نظر گرفته می‌شود قرار است طراحی‌های اولیه جدید نسل 9 و 10 توسط شرکت کره‌ای برای تراشه‌های V-NAND با تمرکز بر افزایش تراکم چیپ انجام گیرد.

سامسونگ هم‌اکنون نسل هفتم تراشه‌های V-NAND صد و هفتاد لایه‌ای را عرضه کرده و نسل هشتم نیز با 230 لایه قرار است تا پایان سال جاری میلادی عرضه شود. با این حال سامسونگ به جهش‌های قابل توجه‌تر در این بخش چشم دوخته و در دراز مدت و تا سال 2030، قصد دارد طراحی V-NAND های خود با 1000 لایه را توسعه و عرضه کند. سامسونگ همچنین به کار بر روی فناوری QLC (Quad-Level Cell) ادامه می‌دهد و امیدوار است که عملکرد و همچنین تراکم بیت ذخیره‌ساز را نیز افزایش دهد.

• مشخص شدن نقشه راه سامسونگ برای فرآیند ساخت تراشه های 1.4 نانومتری
• احتمال استفاده گوشی های سامسونگ از قابلیت اتصال ماهواره ای در آینده
• آغاز کار سامسونگ بر روی تولید و توسعه ماژول های رم 1 ترابایتی DDR5